Substratos de Wafer de Nitruró de Aluminio

Nitruró de Aluminio (AIN) los materiales desempeñan un papel importante en la industria semiconductora, la similitud de su perfil térmico con el del silicio ha hecho de esta una elección ideal para aplicaciones semiconductoras relacionadas con wafers. Los wafers de nitruró de aluminio de Innovacera tienen alta fiabilidad para chip de Si y ciclos térmicos de calor.

Según la tecnología de unión directa de wafer, los wafers semiconductores pulidos pueden unirse sin adhesivos. La unión directa de wafer requiere superficies muy planas y altamente lisas (Ra≤0,05 µm), los substratos de wafer de AlN de Innovacera cumplen con este requisito.

Características

• Alto punto de fusión
• Alta aislamiento eléctrico
• Bajo constante dieléctrica
• Mayor resistencia mecánica
• Superior resistencia a la corrosión contra metales fundidos
• Estabilidad térmica y química
• Alta conductividad térmica (170-220 W/m·K)
• Coeficiente de expansión térmica similar al del silicio (Si)

Propiedades

Propiedades	Unidad	AN170	AN230	AN99	AN999
Color	–	Gris	Beige	Gris	Beige
Contenido de ALN	–	≥95%	≥96%	≥99%	≥99,9%
Densidad en volumen	g/cm3	≥3,30	≥3,28	≥3,26	≥3,25
Resistencia a la flexión	MPa	≥400	≥300	≥300	≥300
Resistencia a la compresión	MPa	2500	2000	2000	2000
Hv 500g	Gpa	10,5	9,0	9,0	9,0
Módulo de Young	Gpa	300	300	280	280
Conductividad térmica (@20°C)	W/m·K	≥170	≥220	~100	~90
Calor específico	KJ/(Kg·K)	0,74	0,73	0,73	0,73
C.T.E (r.t.-400°C)	10⁻⁶/K	4,6	4,6	4,6	4,6
Resistencia de volumen	Ω·cm 20°C	≥10¹⁴	≥10¹³	≥10¹⁰	≥10¹⁰
Fuerza dieléctrica	KV/mm	≥16	≥15	≥15	≥15
Constante dieléctrica (@1MHz)	–	8,6	8,6	8,6	8,6
Tangente de pérdida (@1MHz)	×10-4	5	5	5	5

Especificaciones de wafers de AlN

Propiedades	Unidad	Wafer de 6″	Wafer de 8″
Material	–	Cerámica de AlN	Cerámica de AlN
Conductividad térmica	W/m·K	>170	>170
Coeficiente de expansión térmica	ppm/K (300~1200K)	4-6	4-6
Ayudante de sinterización	–	Y2O3	Y2O3
Diámetro	mm	150 +/-0,25	200 +/-0,25
Profundidad del surco	mm	1,0+0,25/-0/Lado de localización	1,0+0,25/-0
Ángulo del surco	–	90°+5/-2°	90°+5/-2°
Espesor	µm	400±15	400±15
TTV	µm	<10	<10
BOW	µm	<±30	<±30
Deformación	µm	<50	<50
Ra	nm	<50	<50

Aplicaciones

• Manufactura de semiconductores
• Amplificador de potencia de microondas
• Módulos de RF de potencia y conmutación
• Electrónica de potencia de alta temperatura
• Dispositivos optoelectrónicos de dispersión de diodo láser
• Dispositivos electrónicos de alta potencia y alta frecuencia
• Módulos de potencia MOSFET, IGBT
• Paquetes LED para enfriamiento y protección de circuitos