technical ceramic solutions

Encapsulados cerámicos para electrónica de potencia de dispositivos discretos semiconductores

Innovacera desarrolla envases cerámicos y carcasas metálicas para satisfacer las necesidades personalizadas de sus clientes. La fábrica de Innovacera cuenta con sólidas capacidades en investigación y desarrollo de materiales cerámicos y vítreos, fundición en cinta para cerámica ecológica, simulación por microondas/RF, tecnologías de envasado, incluyendo carcasas/sustratos cerámicos, soldadura fuerte/sellado y procesos de tratamiento de superficies, ofreciendo a sus clientes soluciones de envasado completas e integradas.

Envases cerámicos para electrónica de potencia de dispositivos discretos semiconductores

Innovacera ofrece encapsulados cerámicos para electrónica de potencia de dispositivos discretos semiconductores mediante tecnologías de sellado cerámica-metal. Los encapsulados cerámicos adoptan una estructura de pared lateral cerámica en lugar del diseño cerámico tradicional con aislamiento de tipo perla, lo que mejora significativamente la resistencia a la tensión de la carcasa. Los pines de conexión Kovar con núcleo de cobre y los disipadores de calor WCu están adheridos a encapsulados cerámicos de alúmina multicapa o de nitruro de aluminio. Se utilizan principalmente para encapsular transistores, diodos, triodos y módulos de potencia de alta potencia.

TO-254 ceramic packages

Capacidad de conducción de corriente de los encapsulados cerámicos:

Encapsulado típico tipo TO
Modelo de encapsulado TO-254 TO-257
Estructura del recubrimiento Ni+Au Ni+Au
Material del disipador de calor WCu WCu
Tamaño de la cerámica (mm) 9,6×9,6 7,5×6,0

 

Diámetro del cable Material del cable Máx. Capacidad de corriente
1,0 mm Kovar con núcleo de cobre 20 A máx.
0,8 mm Kovar con núcleo de cobre 15 A máx.
1,0 mm Cobre 60 A máx.
0,8 mm Cobre 45 A máx.

Características de los encapsulados cerámicos:

Materiales del disipador de calor: WCu, CPC, CMC, etc.
Materiales de los conductores: Kovar con núcleo de cobre, cobre.
Resistencia de aislamiento: 1010 Ω (500 V)
Tensión de resistencia: > 1000 V.
Tasa de fuga: ≤1 × 10³ Pa · cm³/s
Opciones de recubrimiento: Niquelado completo, Ni/Au completo.
Método de sellado: Soldadura de costura paralela.
Ciclos de temperatura: -65 °C a +175 °C, 500 ciclos.

Paquetes cerámicos TO-257

Si le interesa la electrónica de potencia y los paquetes cerámicos para dispositivos discretos semiconductores, póngase en contacto con el equipo de ventas de Innovacera en sales@innovacera.com.

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