El método de epitaxia de haces moleculares (crisol MBE) es uno de los métodos para producir obleas de epitaxia de arseniuro de galio. Este método se puede utilizar para producir materiales de epitaxia multicapa, homogéneos, heterogéneos, de superred y de pozos cuánticos. Alta pureza cristalina y buena estabilidad química. El crisol MBE se utiliza principalmente para sintetizar monocristales semiconductores y compuestos del grupo III-V mediante el método MBE.
Crisol de nitruro de boro pirolítico (PBN) para MBE en la industria microelectrónica
Características principales del crisol MBE
1. Permite fabricar crisoles grandes (diámetro máximo de 12 pulgadas, altura máxima de 17 pulgadas);
2. Alta densidad (hasta 2,2 g/cm³);
3. Alta pureza (>99,99%);
4. No se agrieta fácilmente (alta resistencia interlaminar).
Propiedades del PBN
| Parámetro técnico | BN | PBN | ||
|
Mecánicas |
Densidad | g/cm³ | 2,2~2,3 | 2,1-2,19 |
| Color | — | Blanco | Blanco | |
| Absorción de agua | % | 0 | 0 | |
| Dureza Vickers | Gpa | (Mohs=2) | (Knoop=691) | |
| Resistencia a la flexión (20°C) | Mpa | 100 | 243,63 | |
| Resistencia a la compresión (20°C) | Mpa | 287 | — | |
|
Térmicas |
Conductividad térmica (20°C) | W/m·K | 35 | 43-60 |
| Resistencia al choque térmico (20°C) | Δ T(C) | — | — | |
| Temperatura máxima de uso | °C | 2400 | 2200 | |
| Eléctricas | Resistividad volumétrica (25°C) | Ω·cm | 10⁸~10¹³ | 3,11×10¹¹ |
Crisol de nitruro de boro pirolítico (PBN) para MBE en la industria microelectrónica (2)
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