分子束外延（MBE坩埚）法是制作砷化镓外延片的方法之一，该方法可以制作多层、同质、异质、超晶格、量子阱外延材料，晶体纯度高，化学稳定性好。 MBE坩埚 主要用于MBE法合成半导体单晶和ⅲ-ⅴ族化合物。
微电子工业用热解氮化硼PBN陶瓷MBE坩埚
MBE坩埚主要特点
1.可制作大型坩埚（最大直径12英寸，最大高度17英寸）；
2.密度高（可达2.2g/cm3）；
3.纯度高（>99.99%）；
4.不易开裂（层间强度高）。
PBN性能
| 技术参数 | BN | PBN | ||
|
机械性能 |
密度 | g/cm3 | 2.2~2.3 | 2.1-2.19 |
| 颜色 | — | 白色 | 白色 | |
| 吸水率 | % | 0 | 0 | |
| 维氏硬度 | Gpa | (莫氏硬度=2) | (努氏硬度=691) | |
| 弯曲强度 (20°C) | Mpa | 100 | 243.63 | |
| 抗压强度 (20°C) | Mpa | 287 | — | |
|
热 |
热导率（20°C） | W/m.K | 35 | 43-60 |
| 抗热震性（20°C） | Δ T(C) | — | — | |
| 最高使用温度 | °C | 2400 | 2200 | |
| 电气 | 体积电阻率(25°C) | Ω.cm | 10 ^ 8~10 ^ 13 | 3.11×10 ^ 11 |
微电子工业用热解氮化硼PBN陶瓷MBE坩埚 (2)
发送询盘