英诺华热压ALN陶瓷元件纯度为99.5%氮化铝，密度约为3.3g/cm3。 导热系数为140-170W/(m·k)。 热压氮化铝陶瓷的成型方式为真空热压烧结。
经过高温高压后，热压ALN陶瓷零件的机械强度和硬度均优于丝锥浇铸成型工艺和冷等静压方法。
英诺华可提供的热压氮化铝陶瓷零件的最大尺寸为长 500 x 宽 500 x 高 < 350 毫米，外径 500 x 高 < 500 毫米
热压氮化铝陶瓷元件特点：
优良的导热性
高电绝缘性
高介电强度
耐高温、耐腐蚀
热膨胀系数与 Si、GaN 和 GaAs 半导体相似
适用于严酷或磨蚀环境
不受各种熔融金属和熔融盐酸的侵蚀。
热压氮化铝陶瓷件应用：
半导体加热器
磁共振成像设备
蚀刻机
集成电路部分
结构包装材料
大功率散热绝缘基板
微波窗口材料
化合物半导体单晶生长坩埚
英诺华可以提供定制尺寸的热压氮化铝 (HPALN)，欢迎向我们发送您的询价。
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