INNOVACERA

PBN坩埚

PBN 是一种特殊的陶瓷材料。其沉积过程如同“下雪”——将六边形的 PBN 平行滴在石墨材料上,直至达到一定厚度。冷却后,即成为 PBN 陶瓷部件。PBN 陶瓷广泛用于制作 VGF 坩埚、LEC 坩埚、MBE 坩埚、隔热板、合成舟皿以及用于制备 GaAs 单晶的 PBN 涂层产品。主要特点:产品白色、无毒、无孔、易于制备。纯度高达99.99%,表面致密。气密性好,耐高温。强度随温度升高而增大,在2…

Innovacera PBN 陶瓷部件包括 PBN 圆盘、PBN 薄板、PBN 细丝环、PBN VGF 坩埚、PBN LEC 坩埚、PBN MBE 坩埚、PBN 锥形坩埚和其他 PBN 加工定制部件。PBN 是一种六方氮化硼。它采用化学气相沉积工艺制成,以形成其坚固的主体,并且所有氮化硼晶体都平行于蒸汽沉积的表面生长。由于CVD工艺的性质,PBN产品通常要求产品;厚壁产品不超过3mm。PBN也是极…

磷化铟(InP)生长的关键材料是单晶——热解氮化硼(PBN)自2002年以来,科学家们联合开发了一种新型半导体材料,可以使通信卫星在太空中以极高的速度传输数据。这种新材料被称为磷化铟(InP)。InP是一种重要的化合物半导体材料,是继硅(Si)和砷化镓(GaAs)之后的新一代微电子和光电功能材料。磷化铟半导体材料具有电子极限漂移速度高、抗辐射性能好、热导率好等优点,与砷化镓半导体材料相比,具有击穿…

氮化硼的突出特点>热膨胀系数好,抗热震性好。导热系数是石英的10倍,可降低因温度急剧变化而破裂的风险。所以即使经过20~1200℃多次循环也没有问题。氮化硼与酸、碱、玻璃、大部分金属均不发生反应,机械强度较低,仅略高于石墨,但在高温下没有荷重软化现象,可用一般金属加工机加工。适用于熔炼、蒸发金属坩埚、器皿、液态金属输送管道、铸钢模具等。氮化硼坩埚的分类PBN坩埚PBN坩埚无需经过传统的热压烧…

分子束外延(MBE坩埚)法是制作砷化镓外延片的方法之一,该方法可以制作多层、同质、异质、超晶格、量子阱外延材料,晶体纯度高,化学稳定性好。 MBE坩埚 主要用于MBE法合成半导体单晶和ⅲ-ⅴ族化合物。微电子工业用热解氮化硼PBN陶瓷MBE坩埚MBE坩埚主要特点1.可制作大型坩埚(最大直径12英寸,最大高度17英寸);2.密度高(可达2.2g/cm3);3.纯度高(>99.99%);4.不易开…

热解氮化硼(PBN)属于六方晶系,是一种纯度高达99.999%的先进陶瓷材料。它由氨和硼卤化物在高温和高真空条件下通过化学气相沉积(CVD)形成。它不仅可以制成PBN片材,还可以制成坩埚、舟皿和涂层等PBN最终产品。主要特点与普通热压氮化硼(BN)不同,它不需要经过传统的热压烧结工艺,也不添加任何烧结剂,因此得到的产品具有以下显著特点:无毒无味;纯度高,达到99.999%以上;它不常温下与酸、碱、…