半导体分子束外延(MBE)室用热解氮化硼(PBN)坩埚

热解氮化硼 (PBN) 是一种使用化学气相沉积 (CVD) 工艺从六方氮化硼 (hBN) 中提取的高纯度材料。该方法将氮化硼晶体与基材平行排列，从而实现卓越的纯度 (99.99%) 和耐用性。PBN 的 CVD 结构将壁厚限制在 3 毫米，但具有高机械强度，使其成为高真空环境和熔融金属应用的理想选择。

其独特的热性能，例如各向异性的热导率和耐高温性，使 PBN 成为真空炉组件和晶体生长坩埚的首选材料。在半导体分子束外延 (MBE)（砷化镓 (GaAs) 晶体生产的标准工艺）中，PBN 坩埚因其卓越的性能而脱颖而出。

PBN 的主要特性包括：
– 出色的导热性
– 高绝缘电阻
– 在很宽的温度范围内具有出色的介电强度
– 超高纯度
– 非润湿性
– 无毒且具有化学惰性
– 耐高温和热冲击