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用于 Ⅲ-V 和 Ⅱ-VI 半导体晶体外延生长的热解氮化硼 (PBN) MBE 坩埚

PBN MBE Crucible

热解氮化硼 (PBN) 产品的纯度极高,气态原料的纯度更容易控制。通常,PBN 产品的总杂质含量<100 ppm,这意味着纯度不低于 99.99%。这种高纯度 PBN 产品非常适合半导体行业和真空系统。

分子束外延(MBE)是当今世界最重要的III-V族和II-VI族半导体晶体外延生长工艺之一,是在适当的衬底和条件下,沿衬底材料晶轴方向逐层生长薄膜的方法。

PBN坩埚是MBE工艺中蒸发元素和化合物的最佳容器。

以下是MBE技术的示意图。
MBE示意图

注意:
分子束外延(MBE)是在超高真空条件下,将组成晶体的各组分及掺杂原子(分子)按一定比例,以一定的热运动速度喷射到热基片表面,生长晶体的技术。

我们提供定制PBN坩埚和VGF/LEC/锥形/MBE/OLED坩埚。

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