MBE

目前，传统的绝缘材料存在不耐高温、纯度低、高温下会释放气体、韧性差、高温下不绝缘、易腐蚀等缺点。PBN 绝缘片可以解决这些问题。 特点： 1. 真空下可承受高达 2300°C 的高温，氨气气氛下可承受高达 2700°C 的高温； 2. 纯度高，高温下不会释放任何气体杂质（>99.99%）； 3. 韧性好； 4. 高温绝缘性能良好（体积电阻率3.11×1011 Ω•cm）； 5. 化学惰性强，耐酸、碱、盐及有机溶剂腐蚀； 6. c方向热导率低，可阻挡热量向下传导，减…

PBN-PG 陶瓷加热器结合了三层超高纯度陶瓷，PBN-PG-PBN，以产生先进的微陶瓷加热元件系统。PBN 作为绝缘基板，PG 作为电阻元件。我们的 PBN 加热器（热解氮化硼）和 PG 加热器（热解石墨）均采用高温 CVD 制造。这些高性能元件在陶瓷加热器中表现出出色的热性能，包括高导热性和各向异性。 PBN-PG 加热器具有机械耐用性和抗热冲击性，在大多数情况下不受振动影响，并且可以根据特定要求定制热梯度。PBN-PG 加热器具有超快响应和低热质量，功率输出为 35 瓦/厘米…

热解氮化硼 (PBN) 产品的纯度极高，气态原料的纯度更容易控制。通常，PBN 产品的总杂质含量<100 ppm，这意味着纯度不低于 99.99%。这种高纯度 PBN 产品非常适合半导体行业和真空系统。 分子束外延（MBE）是当今世界最重要的III-V族和II-VI族半导体晶体外延生长工艺之一，是在适当的衬底和条件下，沿衬底材料晶轴方向逐层生长薄膜的方法。 PBN坩埚是MBE工艺中蒸发元素和化合物的最佳容器。 以下是MBE技术的示意图。 注意： 分子束…

PBN 可在超高真空下加热至 2300°C 而不分解，具有纯度高，超过 99.99%，高温下不释放气体杂质等优良特性，这些特性使得 PBN 可以加工成各种形状。 热解氮化硼 (PBN) 因其高工作温度和真空特性，经常用于制作 MBE 设备中固定 Ta 丝的丝环。 INNOVACERA 可以根据尺寸进行定制，而灯丝环通常通过真空方式放在塑料袋中，并用厚泡沫保护。

我们的热解氮化硼 (PBN) 采用化学气相沉积 (CVD) 工艺处理。性能卓越的 PBN 是炉、电气、微波和半导体元件的理想选择。 分子束外延 (MBE) 是当今世界上最重要的 III-V 族和 II-VI 族半导体晶体外延生长工艺之一。 MBE 中使用的束源坩埚需要具有耐高温、高纯度、使用寿命长等特点。 PBN 坩埚完全可以满足上述要求。它是 MBE 工艺中蒸发元素和化合物的理想容器。 如需了解有关我们的热解氮化硼材料的更多信息，请立即联系我们。

热解氮化硼 (PBN) 是一种先进的陶瓷，可以以高密度生产出纯度达 99.99% 的产品。它是由氨和卤化硼在高温高真空条件下通过化学气相沉积 (CVD) 工艺制成的：NH3 + BX3 = BN + 3HX，可以制成 PBN 板，也可以直接制成 PBN 最终产品，如坩埚、舟皿、涂层等。 加热元件由合金丝构成，由 PBN 环支撑，可在坩埚内提供出色的温度均匀性，即使在坩埚边缘也能实现高加热效率。坩埚易于更换。