MBE

我们的热解氮化硼 (PBN) 采用化学气相沉积 (CVD) 工艺处理。性能卓越的 PBN 是炉、电气、微波和半导体元件的理想选择。 分子束外延 (MBE) 是当今世界上最重要的 III-V 族和 II-VI 族半导体晶体外延生长工艺之一。 MBE 中使用的束源坩埚需要具有耐高温、高纯度、使用寿命长等特点。 PBN 坩埚完全可以满足上述要求。它是 MBE 工艺中蒸发元素和化合物的理想容器。 如需了解有关我们的热解氮化硼材料的更多信息，请立即联系我们。

热解氮化硼 (PBN) 是一种先进的陶瓷，可以以高密度生产出纯度达 99.99% 的产品。它是由氨和卤化硼在高温高真空条件下通过化学气相沉积 (CVD) 工艺制成的：NH3 + BX3 = BN + 3HX，可以制成 PBN 板，也可以直接制成 PBN 最终产品，如坩埚、舟皿、涂层等。 加热元件由合金丝构成，由 PBN 环支撑，可在坩埚内提供出色的温度均匀性，即使在坩埚边缘也能实现高加热效率。坩埚易于更换。