用于 Ⅲ-V 和 Ⅱ-VI 半导体晶体外延生长的热解氮化硼 (PBN) MBE 坩埚

热解氮化硼 (PBN) 产品的纯度极高，气态原料的纯度更容易控制。通常，PBN 产品的总杂质含量<100 ppm，这意味着纯度不低于 99.99%。这种高纯度 PBN 产品非常适合半导体行业和真空系统。

分子束外延（MBE）是当今世界最重要的III-V族和II-VI族半导体晶体外延生长工艺之一，是在适当的衬底和条件下，沿衬底材料晶轴方向逐层生长薄膜的方法。

PBN坩埚是MBE工艺中蒸发元素和化合物的最佳容器。

以下是MBE技术的示意图。

注意：
分子束外延（MBE）是在超高真空条件下，将组成晶体的各组分及掺杂原子（分子）按一定比例，以一定的热运动速度喷射到热基片表面，生长晶体的技术。

我们提供定制PBN坩埚和VGF/LEC/锥形/MBE/OLED坩埚。