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PBN

  • 热解氮化硼坩埚介绍 Company

    PBN 是一种特殊的陶瓷材料。其沉积过程如同“下雪”——将六边形的 PBN 平行滴在石墨材料上,直至达到一定厚度。冷却后,即成为 PBN 陶瓷部件。PBN 陶瓷广泛用于制作 VGF 坩埚、LEC 坩埚、MBE 坩埚、隔热板、合成舟皿以及用于制备 GaAs 单晶的 PBN 涂层产品。 主要特点: 产品白色、无毒、无孔、易于制备。 纯度高达99.99%,表面致密。 气密性好,耐高温。强度随温度升高而增大,在2200°C时达到最大值。 具有耐酸、耐碱、耐盐、耐有机…

  • 热解氮化硼加热器 Company

    目前,传统的绝缘材料存在不耐高温、纯度低、高温下会释放气体、韧性差、高温下不绝缘、易腐蚀等缺点。PBN 绝缘片可以解决这些问题。 特点: 1. 真空下可承受高达 2300°C 的高温,氨气气氛下可承受高达 2700°C 的高温; 2. 纯度高,高温下不会释放任何气体杂质(>99.99%); 3. 韧性好; 4. 高温绝缘性能良好(体积电阻率3.11×1011 Ω•cm); 5. 化学惰性强,耐酸、碱、盐及有机溶剂腐蚀; 6. c方向热导率低,可阻挡热量向下传导,减…

  • INNOVACERA(英诺华)的PBN材料 Company

    PBN 的纯度为 99.99%,属于六方氮化硼等级。它通过化学气相沉积工艺制成固体,所有氮化硼晶体都平行于蒸汽沉积的表面生长。CVD 工艺使这种热解氮化硼具有近乎完美的层状结构,从而导致各向异性的热导率,使其成为制造晶体生长坩埚的理想材料。 主要特点 1. PBN颜色介于乳白色和橙棕色之间,无毒、无气孔,易加工。 2. 纯度高达99.99%,表面致密,阻气性好。 3. 强度随温度升高而增加,在2200℃时达到最大值。 4. 耐酸、碱、盐和有机试剂。同时,它不与大多数熔融金属…

  • PBN-PG加热器性能及应用 Company

    PBN-PG 陶瓷加热器结合了三层超高纯度陶瓷,PBN-PG-PBN,以产生先进的微陶瓷加热元件系统。PBN 作为绝缘基板,PG 作为电阻元件。我们的 PBN 加热器(热解氮化硼)和 PG 加热器(热解石墨)均采用高温 CVD 制造。这些高性能元件在陶瓷加热器中表现出出色的热性能,包括高导热性和各向异性。 PBN-PG 加热器具有机械耐用性和抗热冲击性,在大多数情况下不受振动影响,并且可以根据特定要求定制热梯度。PBN-PG 加热器具有超快响应和低热质量,功率输出为 35 瓦/厘米…

  • 用于 Ⅲ-V 和 Ⅱ-VI 半导体晶体外延生长的热解氮化硼 (PBN) MBE 坩埚 Company

    热解氮化硼 (PBN) 产品的纯度极高,气态原料的纯度更容易控制。通常,PBN 产品的总杂质含量<100 ppm,这意味着纯度不低于 99.99%。这种高纯度 PBN 产品非常适合半导体行业和真空系统。 分子束外延(MBE)是当今世界最重要的III-V族和II-VI族半导体晶体外延生长工艺之一,是在适当的衬底和条件下,沿衬底材料晶轴方向逐层生长薄膜的方法。 PBN坩埚是MBE工艺中蒸发元素和化合物的最佳容器。 以下是MBE技术的示意图。 注意: 分子束…

  • 热解氮化硼坩埚 Company

    热解氮化硼 (PBN) 是一种先进的陶瓷,纯度为 99.99%,属于六方氮化硼等级。它通过化学气相沉积工艺生产,形成固体,所有氮化硼晶体都平行于蒸汽沉积的表面生长。它是熔炉、电气、微波和半导体元件的理想材料。 热解氮化硼坩埚应用: 1. 半导体单晶和 III-V 化合物合成 2. 异形和定形石墨涂层 3. 用于合成 GaAs、GaP 单晶 4. 蒸发包括镓 (Ga) 和铝 (Al) 在内的多种材料,用于外延生长化合物半导体。

  • 热解氮化硼 (PBN) 底板 Company

    热解氮化硼 是一种六方氮化硼。它通过化学气相沉积工艺制成固体,所有氮化硼晶体都平行于蒸汽沉积的表面生长。 INNOVACERA 通过定制设计生产 PBN。厚度范围为 0.2 至 4 毫米。最大尺寸约为 150x150 毫米或直径 300 毫米。公差通常为 +/-0.05 毫米。如果您要求更高的公差,那么我们可以先评估您的设计。 PBN 的特点 * 良好的抗热冲击性 * 高绝缘电阻 * 不润湿 * 无毒 由于其特性,PBN 经常在真空环境中用作基板、绝缘板等。如…

  • 热解氮化硼 (PBN) 板 Company

    PBN 通常代表热解氮化硼,由一种称为 CVD 化学气相沉积的工艺生产,具有非常好的抗热冲击性。我们的热解氮化硼始终根据客户对形状和尺寸的具体要求制造。 PBN 对许多行业领域非常有吸引力,例如: 半导体 光伏 石墨涂层 晶体生长坩埚 OCVD (HB-LED) – 加热器组件 高温窑炉组件

  • 磷化铟(InP)生长的关键材料 Company

    磷化铟(InP)生长的关键材料是单晶——热解氮化硼(PBN) 自2002年以来,科学家们联合开发了一种新型半导体材料,可以使通信卫星在太空中以极高的速度传输数据。这种新材料被称为磷化铟(InP)。 InP是一种重要的化合物半导体材料,是继硅(Si)和砷化镓(GaAs)之后的新一代微电子和光电功能材料。磷化铟半导体材料具有电子极限漂移速度高、抗辐射性能好、热导率好等优点,与砷化镓半导体材料相比,具有击穿电场、热导率、平均电子速度高的特点。 InP单晶生长方法主要有高压液封…

  • 热解氮化硼 (PBN) 灯丝环 Company

    PBN 可在超高真空下加热至 2300°C 而不分解,具有纯度高,超过 99.99%,高温下不释放气体杂质等优良特性,这些特性使得 PBN 可以加工成各种形状。 热解氮化硼 (PBN) 因其高工作温度和真空特性,经常用于制作 MBE 设备中固定 Ta 丝的丝环。 INNOVACERA 可以根据尺寸进行定制,而灯丝环通常通过真空方式放在塑料袋中,并用厚泡沫保护。

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