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磷化铟(InP)生长的关键材料 Company
磷化铟(InP)生长的关键材料是单晶——热解氮化硼(PBN) 自2002年以来,科学家们联合开发了一种新型半导体材料,可以使通信卫星在太空中以极高的速度传输数据。这种新材料被称为磷化铟(InP)。 InP是一种重要的化合物半导体材料,是继硅(Si)和砷化镓(GaAs)之后的新一代微电子和光电功能材料。磷化铟半导体材料具有电子极限漂移速度高、抗辐射性能好、热导率好等优点,与砷化镓半导体材料相比,具有击穿电场、热导率、平均电子速度高的特点。 InP单晶生长方法主要有高压液封…
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热解氮化硼 (PBN) 灯丝环 Company
PBN 可在超高真空下加热至 2300°C 而不分解,具有纯度高,超过 99.99%,高温下不释放气体杂质等优良特性,这些特性使得 PBN 可以加工成各种形状。 热解氮化硼 (PBN) 因其高工作温度和真空特性,经常用于制作 MBE 设备中固定 Ta 丝的丝环。 INNOVACERA 可以根据尺寸进行定制,而灯丝环通常通过真空方式放在塑料袋中,并用厚泡沫保护。
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用于分子束外延的PBN坩埚 Company
我们的热解氮化硼 (PBN) 采用化学气相沉积 (CVD) 工艺处理。性能卓越的 PBN 是炉、电气、微波和半导体元件的理想选择。 分子束外延 (MBE) 是当今世界上最重要的 III-V 族和 II-VI 族半导体晶体外延生长工艺之一。 MBE 中使用的束源坩埚需要具有耐高温、高纯度、使用寿命长等特点。 PBN 坩埚完全可以满足上述要求。它是 MBE 工艺中蒸发元素和化合物的理想容器。 如需了解有关我们的热解氮化硼材料的更多信息,请立即联系我们。
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PBN-PG 复合加热元件 Company
PBN-PG-Heater-Element 高纯度、高性能热解氮化硼用作 PBN 加热元件的基材。通过 CVD 方法将热解石墨 (PG) 放置在 PBN 板的表面上,作为导体和加热器。 由于 PG 和 PBN 都非常纯净,并且在真空或惰性气体中非常稳定,因此 PBN-PG 加热元件非常耐用,并能保持腔体清洁。它可以在很短的时间内加热到1600°C,并且不会排放任何气体成分。这些加热元件是半导体行业和需要高温、高真空和高纯度应用的理想产品。 PBN/PG复合加热元件规格 …
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行波管用螺旋热解氮化硼 APBN 支撑棒 Company
Innovacera 专门生产定制的热解氮化硼组件,如板、盘、螺旋棒等。 Helix 热解氮化硼 APBN 支撑棒因其定向导热性和提供最佳“散热”的能力而广泛用于行波管 (TWT),热解氮化硼表现出更好的温度均匀性。热解氮化硼具有抗热冲击性,可用作密封剂,保护石墨免受腐蚀性气体(包括大多数熔融金属、酸和热氨环境)的侵蚀。热解氮化硼可作为极其有效的电绝缘体。 Innovacera热解氮化硼零件应用如下: 化合物半导体晶体生长(VGF、LEC坩埚) 分子束外延(M…
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适用于高温炉应用的氮化硼陶瓷部件 Company
氮化硼又称白石墨,结构与石墨相似,具有良好的电绝缘性、导热性、优异的抗热震性和化学稳定性。氮化硼陶瓷是将氮化硼粉末根据客户要求的尺寸规格,通过热压烧结加工成产品块。 工作温度明显高于1500°C的高温炉设计采用了由碳、钨制成的加热元件。通常,这些元件使用高温氧化物陶瓷与炉侧电绝缘。 在这一领域,我们可以提供精密加工的部件,例如管、垫圈、套管、绝缘子、绝缘板、线轴、法兰和其他承受高热应力的部件。
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什么是PBN性能优势及用途 Company
热解氮化硼(PBN)属于六方晶系,纯度可达99.999%,耐酸碱、抗氧化、导热性好、致密、可加工。由于采用CVD工艺,热解氮化硼具有近乎完美的层状结构,导致导热性各向异性,是制作晶体生长坩埚的理想材料。 由氨和硼卤化物在高温高真空条件下化学气相沉积(CVD)而成,不仅可以制备PBN片材,还可以直接制备坩埚、舟皿、涂层等PBN最终产品。 热解氮化硼不同于普通的热压氮化硼(HBN),它不需要经过传统的热压烧结工艺,也不添加任何烧结剂。 因此,所得产品具有以下显著特点: 1.无…
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用于射频真空窗口的热解氮化硼板 Company
热解氮化硼(PBN)是一种先进的陶瓷,热解氮化硼PBN圆盘和其他热解氮化硼产品采用化学气相沉积(CVD)工艺在模具上合成,使用BCl3和NH3在高温低压下进行。PBN产品非常纯净,因为气体材料的纯度更容易控制。通常,PBN产品的总杂质含量小于100 ppm,这意味着纯度不低于99.99%。它是窗口的理想材料。 真空微波设备的领先制造商使用氧化铝和氧化铍陶瓷作为输入输出窗口屏障的主要材料。目前,氮化铝被认为是这些传统材料的可能替代品。同时,众所周知的热解氮化硼 (PBN) 似乎是一种被大部分 E…
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半导体用高纯度PBN垫圈 Company
热解氮化硼也称为PBN。它也具有与热压氮化硼陶瓷相同的六方晶体结构,但生产工艺不同。PBN采用化学气相沉积(CVD)生产,无需经过传统的热压烧结工艺。纯度高达99.99%。得益于高纯度、良好的热稳定性和化学惰性,PBN陶瓷适用于半导体元件或真空系统。广泛应用于制作化合物半导体(如GaAs、InP等)单晶生长用陶瓷坩埚、分子束外延用坩埚、OLED用坩埚等。 PBN陶瓷的主要特性 导热性好 绝缘电阻高 在宽温度范围内具有高介电强度。 极纯 不润湿 …
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用于OLED和MBE扩散室的热解氮化硼 (PBN) 环 Company
热解氮化硼 (PBN) 是一种先进的陶瓷,可以以高密度生产出纯度达 99.99% 的产品。它是由氨和卤化硼在高温高真空条件下通过化学气相沉积 (CVD) 工艺制成的:NH3 + BX3 = BN + 3HX,可以制成 PBN 板,也可以直接制成 PBN 最终产品,如坩埚、舟皿、涂层等。 加热元件由合金丝构成,由 PBN 环支撑,可在坩埚内提供出色的温度均匀性,即使在坩埚边缘也能实现高加热效率。坩埚易于更换。