technical ceramic solutions

什么是PBN性能优势及用途

热解氮化硼(PBN)属于六方晶系,纯度可达99.999%,耐酸碱、抗氧化、导热性好、致密、可加工。由于采用CVD工艺,热解氮化硼具有近乎完美的层状结构,导致导热性各向异性,是制作晶体生长坩埚的理想材料。

99.99%高纯度热解氮化硼陶瓷加热板
由氨和硼卤化物在高温高真空条件下化学气相沉积(CVD)而成,不仅可以制备PBN片材,还可以直接制备坩埚、舟皿、涂层等PBN最终产品。

用于PVD系统的高品质热解氮化硼PBN陶瓷坩埚
热解氮化硼不同于普通的热压氮化硼(HBN),它不需要经过传统的热压烧结工艺,也不添加任何烧结剂。

因此,所得产品具有以下显著特点:

1.无毒无味;
2.纯度高,达到99.999%以上;
3、常温下不与酸、碱、盐及有机试剂发生反应,在熔盐和碱溶液中腐蚀轻微,但在高温下能耐各种酸的腐蚀;
4、与大多数熔融金属、半导体及其化合物均不发生反应;
5、1000℃以下抗氧化性能好;
6、抗热震性好,2000℃放入水中未发现裂纹;
7、使用温度高,无升华点,3000℃以上直接分解为B和N;
8、电阻率高,电绝缘性能好;
9、表面光滑,无气孔,与大多数半导体熔体不润湿。

热解氮化硼性能:

属性 单位
晶格常数 μm a: 2.504 x 10 -10 ;
c: 6.692 x 10 -10
密度 g/cm3 2.10-2.15 (PBN 坩埚);
2.15-2.19(PBN 板)
显微硬度(努氏)(ab 侧) N/mm2 691.88
电阻率 Ω·cm 3.11 x 10
11
拉伸强度 N/mm2 153.86
弯曲强度 C N/mm2 243.63
C N/mm2 197.76
弹性模量 N/mm2 235690
热导率 W/m·k “a”方向; “c”方向
200 W/m·k 60 2.60
900 W/m·k 43.7 2.8
介电强度(室温) KV/mm 56

热解氮化硼的应用:

由于CVD工艺的性质,热解氮化硼部件通常需要3mm或更小的壁厚。但CVD工艺使热解氮化硼具有近乎完美的层状结构,从而产生各向异性的热导率,使其成为制作晶体生长坩埚的理想材料。
1. OLED蒸发单元
2.半导体单晶生长(VGF,LEC)坩埚;
3.分子束外延(MBE)蒸发坩埚;
4. MOCVD加热器;
5.多晶合成舟;
6. PBN红外窗口;
7. 卫星通信微波管;
8. PBN 涂层载板;
9. 高温高真空设备绝缘板。

热解氮化硼陶瓷相关应用产品

热解氮化硼陶瓷加工:</h​​2>
我们可以满足您的先进陶瓷原型制作需求。我们始终乐于利用我们在先进陶瓷方面的多年经验,为您提供材料、设计和应用方面的建议。如果您想购买氮化硼板/棒/管或定制零件,请联系我们,我们的专家将很乐意帮助您找到解决方案。

Related Products

  • Silicon nitride grinding ball

    氮化硅研磨介质球

    Innovacera氮化硅研磨介质球采用滴定、滚压和CIP(冷等静压)成型3种方式制成,并在1800~2100℃下进行气压烧结。氮化硅的纯度为99%,一般如果直径尺寸大于3mm,我们会选择CIP成型方式。

  • Boron Nitride Powder

    氮化硼粉末

    Innoveracera的氮化硼粉末采用进口硼酸与三聚氰胺高温反应合成,部分规格氮化硼粉末采用其他优质原料合成。氮化硼(BN)粉末具有杂质少、纯度高、结晶性好、粒径可调、品种多样等优点。Innovacera开发的氮化硼(BN)粉末有单晶片状粉末(0.5μm–100μm)和纳米级球形团聚体两种。

  • TO-3P Ceramic Heat Sink

    TO-3P 陶瓷散热器(片)

    TO-3P 陶瓷散热器(片)和导热垫旨在为先进的热管理解决方案(如高功率应用,特别是绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 模块)提供卓越的热性能。这些散热器具有散热、电气绝缘和机械稳定性的优点,可延长电力电子设备在恶劣环境下的使用寿命。

发送询盘