热解氮化硼（PBN）属于六方晶系，纯度可达99.999%，耐酸碱、抗氧化、导热性好、致密、可加工。由于采用CVD工艺，热解氮化硼具有近乎完美的层状结构，导致导热性各向异性，是制作晶体生长坩埚的理想材料。
由氨和硼卤化物在高温高真空条件下化学气相沉积（CVD）而成，不仅可以制备PBN片材，还可以直接制备坩埚、舟皿、涂层等PBN最终产品。
热解氮化硼不同于普通的热压氮化硼（HBN），它不需要经过传统的热压烧结工艺，也不添加任何烧结剂。
因此，所得产品具有以下显著特点：
1.无毒无味；
2.纯度高，达到99.999%以上；
3、常温下不与酸、碱、盐及有机试剂发生反应，在熔盐和碱溶液中腐蚀轻微，但在高温下能耐各种酸的腐蚀；
4、与大多数熔融金属、半导体及其化合物均不发生反应；
5、1000℃以下抗氧化性能好；
6、抗热震性好，2000℃放入水中未发现裂纹；
7、使用温度高，无升华点，3000℃以上直接分解为B和N；
8、电阻率高，电绝缘性能好；
9、表面光滑，无气孔，与大多数半导体熔体不润湿。
热解氮化硼性能：
| 属性 | 单位 | 值 | |
| 晶格常数 | μm | a: 2.504 x 10 -10 ; c: 6.692 x 10 -10 |
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| 密度 | g/cm3 | 2.10-2.15 (PBN 坩埚); 2.15-2.19（PBN 板） |
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| 显微硬度（努氏）（ab 侧） | N/mm2 | 691.88 | |
| 电阻率 | Ω·cm | 3.11 x 10 11 |
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| 拉伸强度 | N/mm2 | 153.86 | |
| 弯曲强度 | ⊥C | N/mm2 | 243.63 |
| ⊥C | N/mm2 | 197.76 | |
| 弹性模量 | N/mm2 | 235690 | |
| 热导率 | W/m·k | “a”方向； “c”方向 | |
| 200℃ | W/m·k | 60 2.60 | |
| 900℃ | W/m·k | 43.7 2.8 | |
| 介电强度（室温） | KV/mm | 56 | |
热解氮化硼的应用：
由于CVD工艺的性质，热解氮化硼部件通常需要3mm或更小的壁厚。但CVD工艺使热解氮化硼具有近乎完美的层状结构，从而产生各向异性的热导率，使其成为制作晶体生长坩埚的理想材料。
1. OLED蒸发单元
2.半导体单晶生长（VGF，LEC）坩埚；
3.分子束外延（MBE）蒸发坩埚；
4. MOCVD加热器；
5.多晶合成舟；
6. PBN红外窗口；
7. 卫星通信微波管；
8. PBN 涂层载板；
9. 高温高真空设备绝缘板。
