PBN 的纯度为 99.99%,属于六方氮化硼等级。它通过化学气相沉积工艺制成固体,所有氮化硼晶体都平行于蒸汽沉积的表面生长。CVD 工艺使这种热解氮化硼具有近乎完美的层状结构,从而导致各向异性的热导率,使其成为制造晶体生长坩埚的理想材料。
主要特点
1. PBN颜色介于乳白色和橙棕色之间,无毒、无气孔,易加工。
2. 纯度高达99.99%,表面致密,阻气性好。
3. 强度随温度升高而增加,在2200℃时达到最大值。
4. 耐酸、碱、盐和有机试剂。同时,它不与大多数熔融金属和半导体材料发生反应。
5. 抗热震性好,热导率高,热膨胀系数小。
6. 电阻率高,介电强度高,介电常数低,损耗因数低,微波和红外线性能好
7. 具有力学、热学和电学各向异性。
属性
属性 | 单位 | 值 | |
晶格常数 | μm | a: 2.504 x 10^-10 c: 6.692 x 10^-10 | |
密度 | g/cm3 | 2.10-2.15 (PBN 坩埚);2.15-2.19(PBN 板) | |
显微硬度(努氏硬度)(ab 侧) | N/mm2 | 691.88 | |
电阻率 | Ω*cm | 3.11 x 10^11 | |
抗拉强度 | N/mm2 | 153.86 | |
弯曲强度 | ⊥C | N/mm2 | 243.63 |
⊥C | N/mm2 | 197.76 | |
弹性模量 | N/mm2 | 235690 | |
热导率 | W/m*k | “a”方向 “c”方向 | |
200℃ | W/m*k | 60 2.60 | |
900℃ | W/m*k | 43.7 2.8 | |
介电强度(室温) | KV/mm | 56 |
主要应用
* 晶体生长(VGF、LEC 坩埚)
* 分子束外延 (MBE) 坩埚
* 多晶合成舟
* OLED 和 MBE 扩散室
* MOCVD 加热器
* PBN 红外窗口
*行波管 (TWT)(PBN 支撑棒)
* 高温、真空设备绝缘体