
热解氮化硼也称为PBN。它也具有与热压氮化硼陶瓷相同的六方晶体结构,但生产工艺不同。PBN采用化学气相沉积(CVD)生产,无需经过传统的热压烧结工艺。纯度高达99.99%。得益于高纯度、良好的热稳定性和化学惰性,PBN陶瓷适用于半导体元件或真空系统。广泛应用于制作化合物半导体(如GaAs、InP等)单晶生长用陶瓷坩埚、分子束外延用坩埚、OLED用坩埚等。
PBN陶瓷的主要特性
- 导热性好
- 绝缘电阻高
- 在宽温度范围内具有高介电强度。
- 极纯
- 不润湿
- 无毒
- 与大多数其他化合物无反应
- 耐高温和快速冷却

热解氮化硼也称为PBN。它也具有与热压氮化硼陶瓷相同的六方晶体结构,但生产工艺不同。PBN采用化学气相沉积(CVD)生产,无需经过传统的热压烧结工艺。纯度高达99.99%。得益于高纯度、良好的热稳定性和化学惰性,PBN陶瓷适用于半导体元件或真空系统。广泛应用于制作化合物半导体(如GaAs、InP等)单晶生长用陶瓷坩埚、分子束外延用坩埚、OLED用坩埚等。
PBN陶瓷的主要特性
Innovacera 的氧化锆增韧氧化铝 (ZTA)基板结合了氧化锆的卓越强度和氧化铝的稳定性,具有优异的机械性能、高反射率和出色的抗热冲击性。这些基板外观呈致密的白色,表面光洁度极佳,可确保在中等功率电子和光学应用中可靠运行。其强大的韧性和精密加工能力使其成为中等功率电源模块、LED 照明系统和精密仪器的理想选择。
Innovacera 的氮化硅 (Si₃N₄)衬底兼具卓越的导热性、高机械强度和优异的断裂韧性,为高功率电子和热管理应用提供了出色的可靠性。这些衬底的热膨胀系数与硅非常接近,并具有优异的抗热冲击性能,即使在极端条件下也能保持稳定的性能。其精密加工的表面和可定制的规格使其成为 IGBT 功率模块、大功率散热器和先进无线模块的理想之选。
Innovacera 的氮化铝 (AlN) 衬底具有卓越的导热性、与硅高度匹配的热膨胀系数以及优异的电绝缘性,是高功率电子应用的理想之选。凭借卓越的机械强度、高击穿电压和出色的抗热冲击性,AlN 衬底确保在严苛环境下也能可靠运行。其精密加工能力和可定制规格使其非常适合用于 IGBT 功率模块、大功率 LED 和先进散热组件。