
热解氮化硼也称为PBN。它也具有与热压氮化硼陶瓷相同的六方晶体结构,但生产工艺不同。PBN采用化学气相沉积(CVD)生产,无需经过传统的热压烧结工艺。纯度高达99.99%。得益于高纯度、良好的热稳定性和化学惰性,PBN陶瓷适用于半导体元件或真空系统。广泛应用于制作化合物半导体(如GaAs、InP等)单晶生长用陶瓷坩埚、分子束外延用坩埚、OLED用坩埚等。
PBN陶瓷的主要特性
- 导热性好
- 绝缘电阻高
- 在宽温度范围内具有高介电强度。
- 极纯
- 不润湿
- 无毒
- 与大多数其他化合物无反应
- 耐高温和快速冷却

热解氮化硼也称为PBN。它也具有与热压氮化硼陶瓷相同的六方晶体结构,但生产工艺不同。PBN采用化学气相沉积(CVD)生产,无需经过传统的热压烧结工艺。纯度高达99.99%。得益于高纯度、良好的热稳定性和化学惰性,PBN陶瓷适用于半导体元件或真空系统。广泛应用于制作化合物半导体(如GaAs、InP等)单晶生长用陶瓷坩埚、分子束外延用坩埚、OLED用坩埚等。
PBN陶瓷的主要特性
用于霍尔效应推进器等离子室的氮化硼陶瓷组件 霍尔效应推进器 (HET) 是一种电推进装置,它通过电离氙或氪等推进剂并加速离子来为航天器产生推力,该过程由交叉电场和磁场调节。
氮化硅线圈支架广泛用作地下采矿、地质勘探等领域的传感器。
英诺华提供一系列的高压陶瓷馈通, 电压5、10、20kv直流馈通,最高可达120KV。