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产品系列

导电氮化硼坩埚

INNOVACERA 的导电氮化硼坩埚可用作蚀刻剂和薄膜沉积材料,从而彻底改变了半导体制造。这些高纯度坩埚专为电子束蒸发涂层而设计,可保护设备免受损坏和污染,同时有助于精确制造各种薄膜材料。其独特的导电性和光滑的表面可确保最佳的蒸发率和薄膜质量,使其成为先进半导体制造的首选。

Conductive boron nitride crucibles

导电氮化硼坩埚具有优异的耐高温和热循环性能,不会与各种金属和陶瓷稀土发生反应。

即使在快速加热和冷却条件下,坩埚仍保持完好。

可用于合金熔炼、稀土和陶瓷烧结以及电子束蒸发涂层。

常用于高频感应​​加热、涂层、电子束蒸发涂层、铝和硅镀层等热蒸发工艺。

导电氮化硼坩埚具有高纯度、高光洁度和优异的电子束蒸发涂层性能。

它们可提高蒸发速率,加速材料转换,提高热稳定性并降低功率要求,最终提高生产率和成本效益。

优点:
膜层光洁度好、纯度高、污染少、使用寿命长。

1.优异的耐高温和热循环性能。

热膨胀率低,可抵抗大多数熔融金属的润湿。

2.耐高温达2000℃,氮化硼不与铝发生反应,不易挥发。

3.提高蒸发速率;提高蒸发速率可缩短循环时间,提高总产量。

4.快速换料;导电氮化硼坩埚可实现快速换料,最大限度减少炉腔停机时间,提高工艺效率。

5.增强热稳定性;这些坩埚具有更高的热稳定性,减少了坩埚本身的热传递,确保蒸发一致且可控

主要成分:BN+TiB2
密度 3.0g/cm3
粘结剂成分:B2O3
颜色:灰色
室温电阻率:300-2000 Ω·cm
工作温度:1800℃以下
热导率:> 40W/mk
热膨胀系数:(4-6)x10-6K
抗弯强度:> 130Mpa
蒸发速率:0.35-0.5g/min·cm2

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