磷化铟（InP）生长的关键材料

磷化铟（InP）生长的关键材料是单晶——热解氮化硼（PBN）

自2002年以来，科学家们联合开发了一种新型半导体材料，可以使通信卫星在太空中以极高的速度传输数据。这种新材料被称为磷化铟（InP）。

InP是一种重要的化合物半导体材料，是继硅（Si）和砷化镓（GaAs）之后的新一代微电子和光电功能材料。磷化铟半导体材料具有电子极限漂移速度高、抗辐射性能好、热导率好等优点，与砷化镓半导体材料相比，具有击穿电场、热导率、平均电子速度高的特点。

InP单晶生长方法主要有高压液封直拉法（LEC）和垂直梯度凝固法（VGF），这两种单晶生长方法的关键容器是PBN坩埚。热解氮化硼（PBN）是一种特殊的陶瓷材料，由INNOVACERA公司在专用设备上采用化学气相沉积法生产。PBN坩埚具有纯度高、耐高温、耐酸、碱、盐和有机试剂，高温下与大多数熔融金属、半导体等材料不润湿、不反应等优点，是磷化铟单晶生长的最佳容器。

InP半导体材料具有宽带隙结构，电子穿过磷化铟材料的速度很快，这意味着用这种材料制成的器件可以放大更高频率或更短波长的信号。因此，用磷化铟芯片制成的卫星信号接收器和放大器可以工作在100GHz以上的极高频率下，带宽很宽，受外界影响较小，稳定性高。因此，磷化铟是一种比砷化镓更先进的半导体材料，可能推动卫星通信产业向更高频段发展。