热解氮化硼 (PBN) 是一种先进的陶瓷,纯度为 99.99%,属于六方氮化硼等级。它通过化学气相沉积工艺生产,形成固体,所有氮化硼晶体都平行于蒸汽沉积的表面生长。它是熔炉、电气、微波和半导体元件的理想材料。
热解氮化硼坩埚应用:
1. 半导体单晶和 III-V 化合物合成
2. 异形和定形石墨涂层
3. 用于合成 GaAs、GaP 单晶
4. 蒸发包括镓 (Ga) 和铝 (Al) 在内的多种材料,用于外延生长化合物半导体。
热解氮化硼 (PBN) 是一种先进的陶瓷,纯度为 99.99%,属于六方氮化硼等级。它通过化学气相沉积工艺生产,形成固体,所有氮化硼晶体都平行于蒸汽沉积的表面生长。它是熔炉、电气、微波和半导体元件的理想材料。
热解氮化硼坩埚应用:
1. 半导体单晶和 III-V 化合物合成
2. 异形和定形石墨涂层
3. 用于合成 GaAs、GaP 单晶
4. 蒸发包括镓 (Ga) 和铝 (Al) 在内的多种材料,用于外延生长化合物半导体。
INNOVACERA 的导电氮化硼坩埚可用作蚀刻剂和薄膜沉积材料,从而彻底改变了半导体制造。这些高纯度坩埚专为电子束蒸发涂层而设计,可保护设备免受损坏和污染,同时有助于精确制造各种薄膜材料。其独特的导电性和光滑的表面可确保最佳的蒸发率和薄膜质量,使其成为先进半导体制造的首选。
INNOVACERA 生产各种 PBN 陶瓷组件,包括圆盘、薄片、灯丝环、VGF 坩埚、LEC 坩埚、MBE 坩埚、锥形坩埚和定制加工零件。
氧化铝陶瓷 (Al₂O₃) 基座/半导体陶瓷零件和喷嘴因其优异的电气、热学和机械性能而广泛应用于半导体工艺设备,如注入机设备和电子发生器组件。氧化铝陶瓷基座具有非常好的电绝缘性和高导热性,这使其在半导体行业中发挥着非常重要的作用。