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  • 磷化铟(InP)生长的关键材料 Company

    磷化铟(InP)生长的关键材料是单晶——热解氮化硼(PBN) 自2002年以来,科学家们联合开发了一种新型半导体材料,可以使通信卫星在太空中以极高的速度传输数据。这种新材料被称为磷化铟(InP)。 InP是一种重要的化合物半导体材料,是继硅(Si)和砷化镓(GaAs)之后的新一代微电子和光电功能材料。磷化铟半导体材料具有电子极限漂移速度高、抗辐射性能好、热导率好等优点,与砷化镓半导体材料相比,具有击穿电场、热导率、平均电子速度高的特点。 InP单晶生长方法主要有高压液封…

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