在开发功率半导体和先进半导体封装时，有效的热管理已成为关键挑战，氮化铝（AlN）基板已成为解决散热问题的主要材料。然而，加工这些坚硬易碎的陶瓷板材一直是个主要痛点。传统机械切割方法存在明显局限：易造成边缘崩边和微裂纹，频繁更换刀具也推高了整体生产成本。
激光切割和分片技术为138×190毫米氮化铝母板（常见0.5毫米和0.635毫米厚度）提供了实用解决方案。众多制造商现采用紫外线（UV）激光和皮秒超快激光进行该工艺，实现±10微米的稳定尺寸精度。超快激光加工形成的热影响区极窄，极大减少了陶瓷基板的热损伤和残留微裂纹。
针对0.635毫米厚的氮化铝板材，高功率皮秒激光可实现138×190毫米面板格式约300毫米/分钟的切割速度。划线断裂法（仅进行部分激光划线而非全切）进一步使生产线效率提升50%，为批量生产带来显著效率提升。
大型氮化铝面板仍存在关键应用障碍。薄型大尺寸基板易发生翘曲和表面平整度不均，导致加工过程中激光焦点偏移。即使微小的焦点漂移也会造成切割质量不一致，降低最终分片良率。因此，正确的基板夹具设计和平整度控制与优化激光工艺参数同等重要。
总体而言，激光可靠性与成本效益的持续提升正在逐步消除氮化铝面板分片这一关键生产瓶颈。越来越多的电子制造商正转向激光加工，实际生产数据证实了其优势。
