氮化硅（Si₃N₄）基板

特性

• 高导热性
• 接近硅片的膨胀系数
• 高强度和高韧性

应用

• 高功率IGBT功率模块
• 高功率散热器
• 无线模块

材料属性表

材料-Si₃N₄外观–灰色表面粗糙度Raμm0.2~0.75

项目项目		测试条件	单位	Si₃N₄
				SN-90
密度		–	g/cm³	≥3.2
物理性能	弯曲强度	三点弯曲强度	MPa	≥750
	维氏硬度	载荷4.9	GPa	≥14
	吸水率	–	%	0
热性能	导热系数	25℃	W/(m·K)	≥85
	线膨胀系数	25-500℃	x10⁻⁶ mm/℃	2~4
	热冲击电阻	800℃	时间	≥10
	比热	–	J/(kg·K)	680
电性能	介电常数	1MHz/25℃	–	7~8
	介电损耗	1MHz/25℃	x10 -4	≤4
	体积电阻率	25℃	Ω·cm	> 10 14
	击穿电压	–	kV/mm	> 15
光性能	反射率	反射率仪	–	–
	白度	白度米	–	–

规格和尺寸

厚度公差毫米±5% (最小±0.03毫米) )±5% (最小±0.03mm)±5% (最小±0.03mm)±5% (最小±0.03mm)

材料	单位	Al₂O₃	ZTA	AlN	Si₃N₄
有效尺寸 (A, B) )	毫米	50.8-190	50.8-190	50.8-190	138*190
厚度 (T)	毫米	0.25-1.5	0.25-1.0	0.25, 0.32
翘曲 (C)	mm	≤0.3%	≤0.3%	≤0.3%
表面粗糙度	μm	0.2-0.6	0.2-0.5	0.2-0.75	0.2-0.75
尺寸、厚度和表面粗糙度均可定制

加工

• 激光加工

• 研磨和抛光板粗糙度表

外径公差±0.15mm±0.1mm孔径公差 (φ0.07-0.15mm)±0.05mm±0.02mm孔径公差 (φ > 0.15mm)±0.1mm±0.02mm
P项目表面粗糙度(μm)磨削0.3-0.60.3-0.5精磨0.1-0.40.1-0.3

P项目		合格		特级
内部尺寸公差		±0.05mm		±0.03mm
合格		特级
抛光	≤0.1		≤0.05