technical ceramic solutions

製品情報

窒化ケイ素 (Si₃N₄) 基板

当社の窒化ケイ素(Si₃N₄)基板は、優れた熱伝導性、高い機械的強度、そして優れた破壊靭性を兼ね備え、高出力電子機器や熱管理アプリケーションにおいて卓越した信頼性を提供します。シリコンに近い熱膨張係数と優れた耐熱衝撃性を備えたこれらの基板は、過酷な条件下でも安定した性能を維持します。精密に加工された表面とカスタマイズ可能な仕様により、IGBTパワーモジュール、高出力ヒートシンク、そして高度なワイヤレスモジュールに最適です。

Silicon Nitride (Si₃N₄) Substrates

特長

  • 高い熱伝導率
  • シリコンウェーハに近い熱膨張係数
  • 高い強度と靭性

 

用途

  • 高出力IGBTパワーモジュール
  • 高出力ヒートシンク
  • ワイヤレスモジュール

 

材料特性表

プロジェクト 試験条件 単位 Si₃N₄
SN-90
材質 Si₃N₄
外観 グレー
表面粗さ Ra μm 0.2~0.75
密度 g/cm 3 ≥3.2
物理的特性 曲げ強度 3点曲げ強度 MPa ≥750
ビッカース硬度 荷重 4.9 GPa ≥14
吸水率 % 0
熱性能 熱伝導率 25℃ W/(m·k) ≥85
線​​膨張係数 25~500℃ x10 -6 mm/℃ 2~4
耐熱衝撃性 800℃ 時間 ≥10
比熱 J/(kg·K) 680
電気特性 誘電率 1MHz/25℃ 7~8
誘電損失 1MHz/25℃ x10 -4 ≤4
体積抵抗率 25℃ Ω·cm > 10 14
破壊電圧 kV/mm > 15
光性能 反射率 反射率計
白色度 白色度計

仕様と寸法

材質 単位 Al₂O₃ ZTA AlN Si₃N₄
有効寸法 ( A , B ) mm 50.8-190 50.8-190 138×190
厚さ ( T ) mm 0.25-1.5 0.25-1.5 0.25-1.0 0.25 , 0.32
厚さ公差 mm ±5% (最小±0.03mm ) ±5% ( 最小±0.03mm ) ±5% ( 最小±0.03mm ) ±5% ( 最小±0.03mm )
反り (℃ ) mm ≤0.3% ≤0.3% ≤0.3%
表面粗さ μm 0.2-0.6 0.2-0.5 0.2-0.75 0.2-0.75
サイズ、厚さ、表面粗さはカスタマイズ可能です

加工

• レーザー加工

レーザー加工図

• 研削・研磨シート粗さ表
研削・研磨シートの粗さ表図

Project 合格品 特級品
内径公差 ±0.05mm ±0.03mm
外径公差 ±0.15mm ±0.1mm
穴公差 (φ0.07-0.15mm) ±0.05mm ±0.02mm
穴公差(φ > 0.15mm) ±0.1mm ±0.02mm
Project 表面粗さ(μm )
合格品 特級品
研削 0.3~0.6 0.3~0.5
微研削 0.1~0.4 0.1~0.3
研磨 ≤0.1 ≤0.05
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