
INNOVACERA 氮化硅基板,其导热系数为 90 瓦/米·开尔文,乍一看,其散热性能似乎不如氮化铝。然而,氮化硅基板凭借其卓越的机械性能,可以提供与氮化铝相当的热阻水平。
这是因为氮化硅基板的强度和断裂韧性是氮化铝基板的两倍,这使得电路/封装设计人员能够使用厚度仅为氮化铝基板一半的氮化硅基板。
这些同样出色的机械性能也使氮化硅基板成为电路/封装中存在严重、重复性热循环应用的绝佳选择。

INNOVACERA 氮化硅基板,其导热系数为 90 瓦/米·开尔文,乍一看,其散热性能似乎不如氮化铝。然而,氮化硅基板凭借其卓越的机械性能,可以提供与氮化铝相当的热阻水平。
这是因为氮化硅基板的强度和断裂韧性是氮化铝基板的两倍,这使得电路/封装设计人员能够使用厚度仅为氮化铝基板一半的氮化硅基板。
这些同样出色的机械性能也使氮化硅基板成为电路/封装中存在严重、重复性热循环应用的绝佳选择。
氮化硅陶瓷是一种高性能工程陶瓷材料,由氮化硅(Si₃N₄)组成,具有卓越的物理和化学性质。其高抗拉强度和硬度使其在高负载、高冲击应力和高磨损环境下表现出色,适用于制造机械零件如轴承、机械密封和切削工具。此外,氮化硅陶瓷还具备良好的化学稳定性,耐腐蚀性,以及出色的高温性能,因此在高温传感器、航空航天零部件、电子封装、医疗器械等领域广泛应用。其低热膨胀系数也使其与金属部件的热膨胀匹配,进一步增强了其应…
Innovacera 的氮化硅 (Si₃N₄)衬底兼具卓越的导热性、高机械强度和优异的断裂韧性,为高功率电子和热管理应用提供了出色的可靠性。这些衬底的热膨胀系数与硅非常接近,并具有优异的抗热冲击性能,即使在极端条件下也能保持稳定的性能。其精密加工的表面和可定制的规格使其成为 IGBT 功率模块、大功率散热器和先进无线模块的理想之选。
Innovacera氮化硅研磨介质球采用滴定、滚压和CIP(冷等静压)成型3种方式制成,并在1800~2100℃下进行气压烧结。氮化硅的纯度为99%,一般如果直径尺寸大于3mm,我们会选择CIP成型方式。