在开发功率半导体和先进半导体封装时，有效的热管理已成为关键挑战，氮化铝（AlN）基板已成为解决散热问题的主要材料。然而，加工这些坚硬易碎的陶瓷板材一直是个主要痛点。传统机械切割方法存在明显局限：易造成边缘崩边和微裂纹，频繁更换刀具也推高了整体生产成本。 激光切割和分片技术为138×190毫米氮化铝母板（常见0.5毫米和0.635毫米厚度）提供了实用解决方案。众多制造商现采用紫外线（UV）激光和皮秒…
INNOVACERA
UV laser AlN processing
在开发功率半导体和先进半导体封装时，有效的热管理已成为关键挑战，氮化铝（AlN）基板已成为解决散热问题的主要材料。然而，加工这些坚硬易碎的陶瓷板材一直是个主要痛点。传统机械切割方法存在明显局限：易造成边缘崩边和微裂纹，频繁更换刀具也推高了整体生产成本。 激光切割和分片技术为138×190毫米氮化铝母板（常见0.5毫米和0.635毫米厚度）提供了实用解决方案。众多制造商现采用紫外线（UV）激光和皮秒…