Ihre Siliconnitrid (Si₃N₄)-Substrate vereinen herausragende Wärmeleitfähigkeit, hohe mechanische Festigkeit und hervorragende Bruchzähigkeit, was für Hochleistungselektronik und Wärmemanagement hervorragende Zuverlässigkeit bietet. Mit einem thermischen Ausdehnungskoeffizienten, der nahezu identisch mit Silizium ist, und einer überlegenen Widerstandsfähigkeit gegen Wärmechock, behalten diese Substrate unter extremen Bedingungen stabile Leistung. Ihre präzisionsgefrästen Oberflächen und kundenspezifischen Spezifikationen machen sie ideal für IGBT-Leistungsmodule, Hochleistungs-Wärmeableiter und fortschrittliche Drahtlosmodule.