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Siliconnitrid (Si₃N₄) Substrate

Ihre Siliconnitrid (Si₃N₄)-Substrate vereinen herausragende Wärmeleitfähigkeit, hohe mechanische Festigkeit und hervorragende Bruchzähigkeit, was für Hochleistungselektronik und Wärmemanagement hervorragende Zuverlässigkeit bietet. Mit einem thermischen Ausdehnungskoeffizienten, der nahezu identisch mit Silizium ist, und einer überlegenen Widerstandsfähigkeit gegen Wärmechock, behalten diese Substrate unter extremen Bedingungen stabile Leistung. Ihre präzisionsgefrästen Oberflächen und kundenspezifischen Spezifikationen machen sie ideal für IGBT-Leistungsmodule, Hochleistungs-Wärmeableiter und fortschrittliche Drahtlosmodule.

Merkmale

  • Hohe Wärmeleitfähigkeit
  • Thermischer Ausdehnungskoeffizient nahezu identisch mit Siliziumwafer
  • Hohe Festigkeit und Zähigkeit

 

Anwendung

  • Hochleistungs-IGBT-Leistungsmodule
  • Hochleistungs-Wärmeableiter
  • Drahtlosmodul

 

Material-Eigenschaften-Tabelle

Projekt Prüfbedingungen Einheit Si₃N₄
SN-90
Material Si₃N₄
Aussehen grau
Oberflächenrauhigkeit Ra μm 0,2~0,75
Dichte g/cm³ ≥3,2
Physikalische Eigenschaften Biegefestigkeit 3-Punkt-Biegebeständigkeit MPa ≥750
Vickers-Härte Last 4,9 GPa ≥14
Wasseraufnahme % 0
Wärmeleistungsdaten Wärmeleitfähigkeit 25°C W/(m·K) ≥85
Linearer thermischer Ausdehnungskoeffizient 25-500°C x10^-6 mm/°C 2~4
Wärmechockbeständigkeit 800°C Zeit ≥10
Spezifische Wärmekapazität J/(kg·K) 680
Elektrische Eigenschaften Dielektrische Konstante 1 MHz/25°C 7~8
Dielektrischer Verlust 1 MHz/25°C x10^-4 ≤4
Volumenwiderstand 25°C Ω·cm > 10^14
Durchbruchspannung kV/mm > 15
Lichtleistungsdaten Reflektivität Reflektivitätsmesser
Weißgrad Weißheitsmesser

 

Spezifikationen und Abmessungen

Material Einheit Al₂O₃ ZTA AlN Si₃N₄
Effektive Abmessungen (A, B) mm 50,8-190 50,8-190 50,8-190 138*190
Dicke (T) mm 0,25-1,5 0,25-1,5 0,25-1,0 0,25, 0,32
Dicken-Toleranz mm ±5 % (Min ±0,03 mm) ±5 % (Min ±0,03 mm) ±5 % (Min ±0,03 mm) ±5 % (Min ±0,03 mm)
Verwindung (C) mm ≤0,3 % ≤0,3 % ≤0,3 % ≤0,3 %
Oberflächenrauhigkeit μm 0,2-0,6 0,2-0,5 0,2-0,75 0,2-0,75
Größe, Dicke und Oberflächenrauhigkeit können kundenspezifisch angepasst werden

 

Verarbeitung

• Laserbearbeitung

Laser processing diagram

• Schleifen und Polieren – Rauheitstabelle

Grinding and polishing sheet roughness table diagram

Projekt Standard Sondergrad
Innendimensionstoleranz ±0,05 mm ±0,03 mm
Außendimensionstoleranz ±0,15 mm ±0,1 mm
Bohrungstoleranz (φ0,07-0,15 mm) ±0,05 mm ±0,02 mm
Bohrungstoleranz (φ > 0,15 mm) ±0,1 mm ±0,02 mm
Projekt Oberflächenrauhigkeit (μm)
Standard Sondergrad
Schleifen 0,3-0,6 0,3-0,5
Feinschleifen 0,1-0,4 0,1-0,3
Polieren ≤0,1 ≤0,05

Erklärung: Dies ist ein Originalartikel von INNOVACERA®. Bitte geben Sie den Quelllink an, wenn Sie ihn erneut veröffentlichen: https://www.innovacera.com/de/product/silicon-nitride-substrates.

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