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Aluminiumnitrid (AlN) Substrat

Innovaceras Aluminiumnitrid (AlN) Substrate bieten außerordentlich hohe thermische Leitfähigkeit, einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten, der nahezu mit Silizium übereinstimmt, und hervorragende elektrische Isolierung, was sie zu einer idealen Wahl für hochleistungselektronische Anwendungen macht. Mit überlegener mechanischer Festigkeit, hoher Durchbruchspannung und hervorragender Wärmeschockresistenz sorgen AlN-Substrate für zuverlässigen Betrieb in anspruchsvollen Umgebungen. Ihre präzise Verarbeitbarkeit und kundenspezifischen Spezifikationen machen sie besonders geeignet für IGBT-Leistungsmodule, Hochleistungs-LEDs und fortschrittliche Wärmeableitungsbauteile.

Merkmale

• Hohe thermische Leitfähigkeit (170–230 W/(m·K)), bis zu 9,5-mal höher als bei Aluminiumoxid;
• Thermischer Ausdehnungskoeffizient nahebei Siliziumwafer, hohe Zuverlässigkeit von Siliziumchips und thermisches Temperaturwechselverhalten;
• Hohe elektrische Eigenschaften: hohe Durchbruchspannung, hohe elektrische Isolierung und niedriger Dielektrizitätskonstante;

Anwendung

• IGBT-Leistungsmodule;
• Hochleistungs-LED-Pakete;
• Hochleistungswärmesenken, Wärmeableitungsubstrat;
Verschiedene metallisierte Verarbeitungsmöglichkeiten sind verfügbar (Dünnschicht-Metallisierung, Dickschicht-Metallisierung, Direktverbundenes Kupfer, Aktives Metall-Löten, Direkt aufgebrachte Kupferbeschichtung usw.)

Material-Eigenschaften-Tabelle

Projekt Prüfbedingungen Einheit AlN
AN-170 AN-200 AN-230
Material AlN AlN AlN
Aussehen Hellblau Beige Beige
Oberflächenrauhigkeit Ra μm 0,2–0,75 0,2–0,75 0,2–0,75
Dichte g/cm³ ≥3,3
Physikalische Eigenschaften Biegefestigkeit 3-Punkt-Biegefestigkeit MPa ≥400 ≥350 ≥300
Vickers-Härte Belastung 4,9 GPa ≥10
Wasseraufnahme %
Thermische Leistung Thermische Leitfähigkeit 25°C W/(m·K) ≥170 ≥200 ≥230
Linearer thermischer Ausdehnungskoeffizient 25–500°C x10⁻⁶ mm/°C 4–6
Wärmeschockresistenz 800°C Zeit ≥10
Spezifische Wärme J/(kg·K) 720
Elektrische Eigenschaften Dielektrizitätskonstante 1 MHz/25°C 8–9
Dielektrischer Verlust 1 MHz/25°C x10⁻⁴ ≤3
Volumenwiderstand 25°C Ω·cm > 10¹⁴
Durchbruchspannung kV/mm > 17
Optische Eigenschaften Reflektivität Reflektivitätsmesser
Weißgrad Weißgradmesser

Spezifikationen und Abmessungen

Größe (mm)

Dicke (mm)

0,25 0,38 0,5 0,635 0,76 1,0 1,2 1,5 2,0
101,6×101,6
114,3×114,3
120×120
138×190

Verarbeitung

• Laserbearbeitung

Diagramm zur Laserbearbeitung

• Schleifen und Polieren Rauheitswertetabelle

Diagramm der Rauheitswerte beim Schleifen und Polieren

Projekt Qualifiziert Sonderklasse
Innendimensionstoleranz ±0,05 mm ±0,03 mm
Außendimensionstoleranz ±0,15 mm ±0,10 mm
Lochtoleranz (φ0,07–0,15 mm) ±0,05 mm ±0,02 mm
Lochtoleranz (φ > 0,15 mm) ±0,10 mm ±0,02 mm
Projekt Oberflächenrauhigkeit (μm)
Qualifiziert Sonderklasse
Schleifen 0,3–0,6 0,3–0,5
Feinschleifen 0,1–0,4 0,1–0,3
Polieren ≤0,1 ≤0,05

Erklärung: Dies ist ein Originalartikel von INNOVACERA®. Bitte geben Sie den Quelllink an, wenn Sie ihn erneut veröffentlichen: https://www.innovacera.com/de/product/aluminum-nitride-aln-substrates.

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