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Sustratos de Nitruro de Silicio (Si₃N₄)

Los sustratos de Nitruro de Silicio (Si₃N₄) de Innovacera combinan excepcional conductividad térmica, alta resistencia mecánica y excelente tenacidad a la fractura, ofreciendo una confiabilidad sobresaliente para aplicaciones electrónicas de alta potencia y gestión térmica. Con un coeficiente de expansión térmica ajustado al silicio y una resistencia superior al choque térmico, estos sustratos mantienen un rendimiento estable en condiciones extremas. Sus superficies diseñadas con precisión y especificaciones personalizables los hacen ideales para módulos de potencia IGBT, disipadores de calor de alta potencia y módulos inalámbricos avanzados.

Silicon Nitride (Si₃N₄) Substrates

Características

  • Alta conductividad térmica
  • Coeficiente de expansión térmica cercano al disco de silicio
  • Alta resistencia y tenacidad

 

Aplicaciones

  • Módulo de potencia IGBT de alta potencia
  • Disipador de calor de alta potencia
  • Módulo inalámbrico

 

Tabla de Propiedades del Material

Proyecto Condiciones de prueba Unidad Si₃N₄
SN-90
Material Si₃N₄
Apariencia gris
Rugosidad superficial Ra μm 0.2~0.75
Densidad g/cm3 ≥3.2
Propiedades físicas Fuerza de flexión Resistencia de flexión en tres puntos MPa ≥750
Dureza Vickers Carga 4,9 GPa ≥14
Absorción de agua % 0
Rendimiento térmico Conductividad térmica 25°C W/(m·k) ≥85
Coeficiente de expansión térmica lineal 25-500°C x10-6 mm/°C 2~4
Resistencia al choque térmico 800°C Tiempo ≥10
Calor específico J/(kg·K) 680
Propiedades eléctricas Constante dieléctrica 1MHz/25°C 7~8
Pérdida dieléctrica 1MHz/25°C x10-4 ≤4
Resistividad volumétrica 25°C Ω·cm > 1014
Tensión de ruptura kV/mm > 15
Rendimiento luminoso Reflejividad Medidor de reflejividad
Blancura Medidor de blancura

 

Especificaciones y Dimensiones

Material Unidad Al₂O₃ ZTA AlN Si₃N₄
Dimensiones efectivas (A, B) mm 50.8-190 50.8-190 50.8-190 138*190
Espesor (T) mm 0.25-1.5 0.25-1.5 0.25-1.0 0.25, 0.32
Tolerancia al espesor mm ±5% (Mín ±0.03 mm) ±5% (Mín ±0.03 mm) ±5% (Mín ±0.03 mm) ±5% (Mín ±0.03 mm)
Curvatura (C) mm ≤0.3% ≤0.3% ≤0.3% ≤0.3%
Rugosidad superficial μm 0.2-0.6 0.2-0.5 0.2-0.75 0.2-0.75
Tamaño, espesor y rugosidad superficial pueden personalizarse

 

Procesamiento

• Procesamiento láser

Diagrama de procesamiento láser

• Tabla de rugosidad de hojas de esmerilado y pulido

Diagrama de tabla de rugosidad de hojas de esmerilado y pulido

Proyecto Cumplido Clase especial
Tolerancia dimensional interna ±0.05 mm ±0.03 mm
Tolerancia dimensional externa ±0.15 mm ±0.1 mm
Tolerancia de agujero (φ0.07-0.15 mm) ±0.05 mm ±0.02 mm
Tolerancia de agujero (φ > 0.15 mm) ±0.1 mm ±0.02 mm
Proyecto Rugosidad superficial (μm)
Cumplido Clase especial
Esmerilado 0.3-0.6 0.3-0.5
Esmerilado fino 0.1-0.4 0.1-0.3
Pulido ≤0.1 ≤0.05

Declaración: Este es un artículo original de INNOVACERA®. Por favor, indique el enlace de origen al reimprimir: https://www.innovacera.com/es/product/silicon-nitride-substrates.

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