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Sustratos de Nitruro de Aluminio (AlN)

Innovacera’s Sustratos de Nitruro de Aluminio (AlN) proporcionan una excepcional conductividad térmica, un coeficiente de expansión térmica estrechamente coincidente con el del silicio, y un excelente aislamiento eléctrico, lo que los hace una elección ideal para aplicaciones electrónicas de alta potencia. Con una resistencia mecánica superior, alta tensión de ruptura y excepcional resistencia al choque térmico, los sustratos de AlN garantizan un rendimiento confiable en entornos exigentes. Su capacidad de mecanizado de precisión y especificaciones personalizables los hacen adecuados para módulos de potencia IGBT, LEDs de alta potencia y componentes avanzados de disipación térmica.

Aluminum nitride (AlN) Substrates

Características

• Alta conductividad térmica (170~230 W/m·K), hasta 9,5 veces superior a la de la alúmina;
• Coeficiente de expansión térmica cercano al de la funda de silicio, logrando alta fiabilidad del chip de silicio y ciclos térmicos;
• Propiedades eléctricas altas: alta tensión de ruptura, alto aislamiento eléctrico y bajo coeficiente dieléctrico;

Aplicación

• Módulo de potencia IGBT;
• Paquete de LED de alta potencia;
• Disipador de calor de alta potencia, sustrato de disipación térmica;
Están disponibles diversos procesos de metalización (metalización de película delgada, metalización de película gruesa, Unión Directa con Cobre, Soldadura por Metal Activo, Recubrimiento Directo con Cobre, etc.)

Tabla de Propiedades del Material

Proyecto Condiciones de prueba Unidad AlN
AN-170 AN-200 AN-230
Material AlN AlN AlN
Apariencia Azul claro Beige Beige
Rugosidad de superficie Ra μm 0,2~0,75 0,2~0,75 0,2~0,75
Densidad g/cm3 ≥3,3
Propiedades físicas Resistencia a la flexión Resistencia a flexión de 3 puntos MPa ≥400 ≥350 ≥300
Dureza Vickers Carga 4,9 GPa ≥10
Absorción de agua %
Rendimiento térmico Conductividad térmica 25°C W/(m·K) ≥170 ≥200 ≥230
Coeficiente de expansión térmica lineal 25-500°C x10-6 mm/°C 4~6
Resistencia al choque térmico 800°C Tiempo ≥10
Calor específico J/(kg·K) 720
Propiedades eléctricas Coeficiente dieléctrico 1 MHz/25°C 8~9
Pérdida dieléctrica 1 MHz/25°C x10-4 ≤3
Resistencia volúmica 25°C Ω·cm > 1014
Tensión de ruptura kV/mm > 17
Rendimiento lumínico Reflejividad Medidor de reflejividad
Blancura Medidor de blancura

Especificaciones y Dimensiones

Tamaño (mm) Espesor (mm) 0,25 0,38 0,5 0,635 0,76 1,0 1,2 1,5 2,0
101,6*101,6
114,3*114,3
120*120
138*190

Procesamiento

• Procesamiento láser

Diagrama de procesamiento láser

• Tabla de rugosidad de hoja para rectificado y pulido

Diagrama de tabla de rugosidad de hoja para rectificado y pulido

Proyecto Certificado Grado Especial
Tolerancia de dimensión interna ±0,05 mm ±0,03 mm
Tolerancia de dimensión externa ±0,15 mm ±0,1 mm
Tolerancia de agujero (φ0,07-0,15 mm) ±0,05 mm ±0,02 mm
Tolerancia de agujero (φ > 0,15 mm) ±0,1 mm ±0,02 mm
Proyecto Rugosidad de superficie (μm)
Certificado Grado Especial
Rectificado 0,3-0,6 0,3-0,5
Rectificado fino 0,1-0,4 0,1-0,3
Pulido ≤0,1 ≤0,05

Declaración: Este es un artículo original de INNOVACERA®. Por favor, indique el enlace de origen al reimprimir: https://www.innovacera.com/es/product/aluminum-nitride-aln-substrates.

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