窒化アルミニウム (ALN) 半導体産業で重要な役割を果たす窒化アルミニウムは、シリコンと熱特性が似ているため、ウェハー関連の半導体用途に最適です。弊社の窒化アルミニウムウェーハは、Siチップの高い信頼性と熱サイクルを提供します。
ダイレクトウェーハボンディング技術によれば、研磨された半導体ウェーハを接着剤を使用せずに貼り合わせることができます。 ダイレクト・ウェハー・ボンディングには、非常に平坦で平滑性の高い表面（Ra ≤ 0.05um）が必要ですが、弊社のALNウェハー・サブストレートはこれを満たしています。
特徴
- 高融点
- 優れた電気絶縁性
- 低誘電率
- 高い機械的強度
- 溶融金属による高い耐食性
- 熱・化学的安定性
- 高熱伝導率 (170-220w/mk)
- シリコン（si）に似た熱膨張係数
特性
| 特性 | 単位 | AN170 | AN230 | AN99 | AN999 |
| 色 | – | グレー | ベージュ | グレー | ベージュ |
| ALN成分 | – | ≥95% | ≥96% | ≥99% | ≥99.9% |
| 体積密度 | g/cm3 | ≥3.30 | ≥3.28 | ≥3.26 | ≥3.25 |
| 曲げ強度 | MPa | ≥400 | ≥300 | ≥300 | ≥300 |
| 圧縮強度 | MPa | 2500 | 2000 | 2000 | 2000 |
| Hv 500g | Gpa | 10.5 | 9.0 | 9.0 | 9.0 |
| ヤング率 | Gpa | 300 | 300 | 280 | 280 |
| 熱伝導率（@20°C） | W/m·K | ≥170 | ≥220 | ~100 | ~90 |
| 比熱 | KJ/(Kg·K) | 0.74 | 0.73 | 0.73 | 0.73 |
| C.T.E (r.t.-400°C) | 10-6/K | 4.6 | 4.6 | 4.6 | |
| 体積抵抗率 | Ω·cm 20°C | ≥1014 | ≥1013 | ≥1010 | ≥1010 |
| 絶縁破壊強さ | KV/mm | ≥16 | ≥15 | ≥15 | ≥15 |
| 比誘電率 (@1MHz) | – | 8.6 | 8.6 | 8.6 | 8.6 |
| 誘電正接 (@1MHz) | ×10-4 | 5 | 5 | 5 | 5 |
AlNウェハー仕様
| 特性 | 単位 | 6インチウエハー | インチウエハー |
| 材質 | – | ALNセラミック | ALNセラミック |
| 熱伝導率 | W/m·K | >170 | >170 |
| 熱膨張係数 | ppm/K（300~1200K） | 4-6 | 4-6 |
| 焼結助剤 | – | Y2O3 | Y2O3 |
| 直径 | mm | 150+/-0.25 | 200+/-0.25 |
| ノッチ深さ | mm | 1.0+0.25/-0/エッジの位置決め | 1.0+0.25/-0 |
| ノッチ角度 | – | 90°+5/-2° | 90°+5/-2° |
| 厚さ | μm | 400±15 | 400±15 |
| TTV | μm | <10 | <10 |
| 円セグメント | μm | <±30 | <±30 |
| ワープ | μm | <50 | <50 |
| 表面粗度Ra | nm | <50 | <50 |
応用
- 半導体製造
- マイクロ波パワーアンプ
- RFパワーとスイッチング
- 高温パワーエレクトロニクス
- レーザーダイオード分散オプトエレクトロニクス
- ハイパワー高周波電子機器
- MOSFET、IGBTパワーモジュール
- 冷却・保護回路用LEDパッケージ
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