氮化铝 (AIN) 陶瓷具有以下卓越特性：

良好的机械性能，
比 Al2O3 和 BeO 陶瓷更高的抗弯强度，
耐高温、耐腐蚀。
高导热性与良好的电绝缘特性相结合。
暴露于多种熔盐时具有出色的稳定性。
热稳定性至少高达 1500°C
良好的机械特性延伸至高温范围。
低热膨胀性和抗热冲击性。
特殊的光学和声学特性。

成型加工：

陶瓷注射成型
低压注塑
冷等静压机
干压
流延成型
精密机械加工

氮化铝陶瓷产品：

用于高功率系统的 AlN 陶瓷散热器
氮化铝坩埚、铝蒸发皿等高温耐腐蚀零件。
直接键合铜基板 (DBC)
氮化铝陶瓷棒
ALN陶瓷片
ALN陶瓷基板
氮化铝陶瓷加热器
定制形状

氮化铝陶瓷元件应用：

半导体设备用零部件
集成电路封装
热模块基板
大功率晶体管模块基板
高频器件基板
晶闸管模块用放热绝缘板
半导体激光器、发光二极管（LED）固定基板
混合动力集成模块、点火装置模块
用于结构陶瓷的烧结
用于金属熔化和电子烟的氮化铝坩埚
应用于发光材料
应用于基材材料

氮化铝（AlN）的最大直接带隙宽度为6.2eV，比间接带隙半导体具有更高的光电转换效率。 AlN作为重要的蓝光和紫外发光材料，应用于紫外/深紫外发光二极管、紫外激光二极管、紫外探测器等。此外，AlN可以与GaN、InN等III族氮化物化合物形成连续固溶体，其三元或四元合金可以实现从可见光波段到深紫外波段连续可调的带隙，使其成为重要的高性能发光材料。
AlN晶体是GaN、AlGaN和AlN外延材料的理想衬底。与蓝宝石或SiC衬底相比，AlN与GaN具有更高的热匹配性和化学兼容性，并且衬底与外延层之间的应力更低。因此，AlN晶体作为GaN外延衬底可以大大降低器件中的缺陷密度，提高器件的性能，在高温、高频、大功率电子器件的制备中具有良好的应用前景。
另外，以AlN晶体为高Al组分的AlGaN外延材料衬底可以有效降低氮化物外延层中的缺陷密度，大大提高氮化物半导体器件的性能和使用寿命。

ALN陶瓷基板常规规格：

长宽：25.4mm； 50.8毫米； 63.5毫米； 76.2毫米； 101.6毫米； 114.3毫米； 127毫米； 152.4毫米。
厚度：0.25mm； 0.5毫米； 0.63毫米;1毫米;1.5毫米; 2毫米。