INNOVACERA提供精密研磨的氮化铝基板，具有极致表面平整度，支持DPC（直接电镀铜）和AMB（活性金属钎焊）等多种金属化工艺，确保产品在严苛环境中稳定运行。
优势：
| 特性 | 技术价值 |
| 超高热导率 | 热导率可达170–230 W/m·K，为传统氧化铝陶瓷的7–10倍，从源头解决散热难题。 |
| 匹配的CTE | 热膨胀系数（CTE）约为4.5 ppm/°C，与硅（Si）和氮化镓（GaN）高度匹配，显著降低热应力并提升封装使用寿命。 |
| 优异绝缘性能 | 具有高体积电阻率和绝缘强度，确保高压高频环境下的电气安全与信号完整性。 |
| 领先表面技术 | 典型粗糙度Ra ≤ 0.5 μm，保障芯片贴装的高精度与高良率，支持复杂电路互连。 |
产品规格与选型
我们提供三种标准规格，厚度均为1.0mm，支持定制化需求。
| 型号 | 尺寸（L×W） | 推荐应用 | 选型建议 |
| 型号A | 37 × 26 mm | IGBT模块、汽车车载充电机（OBC）、大型光模块 | 提供更大散热有效面积，适用于高功率、复杂封装场景。 |
| 型号B | 35 × 22 mm | 800G/1.6T光模块、射频功率放大器（PA） | 主流市场规格，性能与成本均衡，供应链成熟。 |
| 型号C | 25 × 20 mm | 汽车LED、工业照明、小型子模块 | 高性价比，适合空间受限或成本敏感场景。 |
应用：
1. 高速光模块（800G / 1.6T）
- 应用价值：解决1.6T模块中高达15–20W/cm²的极端热流密度挑战。
- 行业趋势：受AI需求驱动，每模块氮化铝基板用量提升至3-4片，成为数据中心升级的核心部件。
2. 射频微波通信（5G / 卫星）
- 应用价值：低介电损耗（tanδ < 0.001）设计，优化高频信号传输，为GaN功率晶体管提供关键散热与支撑。
- 频段覆盖：广泛应用于5G NR、毫米波（mmWave）及卫星通信Ka波段。
3. 新能源汽车（功率电子 / IGBT）
- 应用价值：完美适配800V平台，为碳化硅MOSFET及IGBT模块提供高可靠性绝缘与散热。
- 优势：满足热循环、热冲击及振动的严苛要求，提升传动系统效率。
4. 高功率LED（汽车大灯 / 工业固化）
- 应用价值：适用于COB或多芯片集成模块，有效散热以确保高光效与超长寿命。
- 场景：智能LED大灯、工业UV固化及高端商业照明。
选择我们的理由：
我们的产品被全球通信设备、云服务提供商及新能源汽车供应链的领军企业广泛采用。通过严格的质量控制与深厚的技术积累，我们不仅提供高品质陶瓷基板，更提供从选型到金属化的全流程解决方案。
如需提升产品可靠性的散热管理解决方案，请联系我们的技术专家。
声明：此篇为INNOVACERA®原创文章，转载请标明出处链接：https://www.innovacera.com/zh-hans/product/aluminum-nitride-ceramic-substrates
常见问题
什么是氮化铝陶瓷基板？
氮化铝陶瓷基板是一种高性能陶瓷基材，适用于需要高热导率、电气绝缘、机械稳定性和可靠散热的电子封装应用。
氮化铝基板可提供多高的热导率？
INNOVACERA氮化铝陶瓷基板热导率达170–230 W/m·K，适用于高功率电子封装、光模块、高功率LED、激光二极管及功率半导体器件。
为何选择氮化铝基板而非氧化铝基板？
氮化铝基板热导率远高于传统氧化铝陶瓷基板，有助于减少热量积累、降低器件工作温度，提升高功率电子应用的长期可靠性。
氮化铝基板能否进行金属化处理？
可以。氮化铝基板支持DPC、AMB、厚膜金属化及薄膜金属化等多种金属化工艺，具体取决于电路设计、 bonding方式及应用场景需求。
氮化铝基板可用哪些金属化工艺？
氮化铝基板常见金属化方案包括：DPC适用于精细电路图案，AMB适用于高可靠性功率模块，厚膜/薄膜金属化适用于定制化电子封装解决方案。
