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Aluminum Nitride Ceramic Substrates
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Aluminiumnitrid-Substrat

In der heutigen Ära explodierender KI-Rechenleistung, 5G-Kommunikations-Upgrades und des Übergangs von Neuen Energie-Fahrzeugen (NEVs) zu 800-V-Hochspannungsplattformen sind Wärmeableitung und Verpackungsverlässlichkeit zu zentralen Engpässen geworden, die die Systemleistung begrenzen. Aluminiumnitrid-Substrate, mit ihrer außergewöhnlichen Waermeleitfaehigkeit, überlegenen Isolier-Eigenschaften und einem Waermeausdehnungskoeffizienten (CTE), der gut auf Halbleitermaterialien abgestimmt ist, sind für Hochgeschwindigkeitsoptikmodule, RF-Geräte und Leistungshalbleiter unverzichtbar geworden.

Angebot/Bestellung

INNOVACERA bietet präzise geschliffene AlN-Substrate mit extremer Oberflächenflachheit an, die verschiedene Metallisierungsprozesse wie DPC (Direct Plated Copper) und AMB (Active Metal Brazing) unterstützen, um sicherzustellen, dass Ihre Produkte auch in den anspruchsvollsten Umgebungen stabil betrieben werden können.

Vorteile:

Eigenschaft Technischer Wert
Ultrahoch-Waermeleitfaehigkeit Die Waermeleitfaehigkeit erreicht 170–230 W/m·K, 7–10-mal höher als bei traditionellen Aluminiumoxid-Keramiken, wodurch Wärmemanagementprobleme an der Quelle gelöst werden.
Abgestimmter CTE Der CTE beträgt etwa 4,5 ppm/°C und ist gut abgestimmt auf Silizium (Si) und Galliumnitrid (GaN), wodurch thermischer Stress deutlich reduziert und die Lebensdauer der Verpackung verlängert wird.
Überlegene elektrische Isolation Verfügt über hohe Volumenwiderstand und Durchschlagfestigkeit, um elektrische Sicherheit und Signalintegrität in Hochspannungs- und Hochfrequenzumgebungen sicherzustellen.
Führende Oberflächentechnologie Typische Oberflaechenrauheit Ra ≤ 0,5 μm gewährleistet hohe Präzision und Ausbeute für Chip-Befestigung und unterstützt komplexe Schaltungsverbindungen.

Produktspezifikationen und Auswahl

Wir bieten drei Standard-Spezifikationen mit einer Dicke von 1,0 mm an, individuelle Anpassungen sind auf Anfrage möglich.

Modell Abmessungen (L×B) Empfohlene Anwendungen Auswahlberatung
Modell A 37 × 26 mm IGBT-Module, Automobil-OBC, Großflächige Optikmodule Bietet größere Kühlfläche, ideal für High-Power und komplizierte Verpackung.
Modell B 35 × 22 mm 800G/1,6T Optikmodule, RF-Leistungsverstärker (PA) Die Marktspezifikation, bietet einen Balance zwischen Leistung und Kosten mit etablierter Lieferkette.
Modell C 25 × 20 mm Automobil-LED, Industrielicht, Kleinformat-Submodule Hohe Kosteneffizienz, ideal für platzbeschränkte oder kostensensible Szenarien.

Anwendung:

1. Hochgeschwindigkeits-Optikmodule (800G / 1,6T)
- Anwendungswert: Lösung extrem hoher Wärmeflussdichten bis zu 15–20 W/cm² in 1,6T-Modulen.
- Branchentrend: Getrieben durch KI-Nachfrage steigt der AlN-Substratverbrauch pro Modul auf 3-4 Stück, bildet Grundlage für Data Center-Upgrades.

2. RF- und Mikrowellenkommunikation (5G / Satellit)
- Anwendungswert:Niedrige Dielektrikverluste (tanδ < 0,001) für optimierte Hochfrequenzsignale, kritische Kühlung und Unterstützung von GaN-Leistungsverstärkern.
- Frequenzabdeckung: Weit verbreitet in 5G NR, Millimeterwellen (mmWave) und Satellitenkommunikation im Ka-Band.

3. Neue Energie-Fahrzeuge (Leistungselektronik / IGBT)
- Anwendungswert: Perfekt für 800-V-Plattformen, bietet hoheverlässliche Isolierung und Kühlung für SiC MOSFET- und IGBT-Module.
- Vorteile: Erfüllt strenge Anforderungen für Temperaturzyklen, Temperaturstöße und Vibration, hebt Getriebeeffizienz.

4. Hochleistung-LED (Automobil-Scheinwerfer / Industrielle Ausbeutung)
- Anwendungswert: Ideal für COB- oder mehrchippige integrierte Module, effektive Wärmeableitung für hohe Lichtausbeute und extrem lange Lebensdauer.
- Szenarien: Intelligente LED-Scheinwerfer, industrielle UV-Ausbeutung und High-End-Beleuchtung.

Warum bei uns wählen?

Unsere Produkte werden von globalen Marktführern in Kommunikationsausrüstung, Cloud-Dienstleistern und NEV-Lieferketten eingesetzt. Mit strenger Qualitätskontrolle und tiefgehender Fachkenntnis bieten wir nicht nur hochwertige Keramiksubstrate, sondern One-Stop-Lösungen von der Auswahl bis zur Metallisierung.

Wenn Sie auf der Suche nach Thermalmanagementlösungen sind, um die Produktzuverlässigkeit zu steigern, kontaktieren Sie bitte unsere technischen Experten.

Erklärung: Dies ist ein Originalartikel von INNOVACERA®. Bitte geben Sie den Quelllink an, wenn Sie ihn erneut veröffentlichen: https://www.innovacera.com/de/product/aluminum-nitride-ceramic-substrates

Häufig gestellte Fragen

Was ist ein Aluminiumnitrid-Keramiksubstrat?

Ein Aluminiumnitrid-Keramiksubstrat ist ein hochleistungsfähiges Keramikbasismaterial, das für elektronische Verpackungsanwendungen verwendet wird, die hohe Waermeleitfaehigkeit, elektrische Isolation, mechanische Stabilität und zuverlässige Wärmeabfuhr erfordern.

Welche Waermeleitfaehigkeit bieten Aluminiumnitrid-Substrate?

Aluminiumnitrid-Keramiksubstrate von INNOVACERA bieten eine Waermeleitfaehigkeit von 170–230 W/m·K, wodurch sie für Hochleistungselektronikverpackung, Optikmodule, Hochleistungs-LEDs, Laserdioden und Leistungshalbleitergeräte geeignet sind.

Warum Aluminiumnitrid-Substrate statt Aluminiumoxid-Substrate wählen?

Aluminiumnitrid-Substrate bieten eine deutlich höhere Waermeleitfaehigkeit als traditionelle Aluminiumoxid-Keramiksubstrate. Dies reduziert Wärmeansammlung, senkt die Betriebstemperatur und verbessert die Langzeitzuverlässigkeit in Hochleistungselektronikanwendungen.

Können Aluminiumnitrid-Substrate metallisiert werden?

Ja. Aluminiumnitrid-Substrate unterstützen Metallisierungsverfahren wie DPC, AMB, Thick-Film-Metallisierung und Thin-Film-Metallisierung, abhängig von der Schaltungsdesign, Verbindungsmethode und Anforderungen.

Welche Metallisierungsverfahren sind für AlN-Substrate verfügbar?

Typische Metallisierungs-Optionen für AlN-Substrate umfassen DPC für feine Schaltungs-Muster, AMB für Hochverlässlichkeitsleistungsmodul und Thick-Film- oder Thin-Film-Metallisierung für maßgeschneiderte elektronische Verpackungslösungen.

Wie erhält man ein Angebot?

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