PBN坩埚

PBN 是一种特殊的陶瓷材料。其沉积过程如同“下雪”——将六边形的 PBN 平行滴在石墨材料上，直至达到一定厚度。冷却后，即成为 PBN 陶瓷部件。PBN 陶瓷广泛用于制作 VGF 坩埚、LEC 坩埚、MBE 坩埚、隔热板、合成舟皿以及用于制备 GaAs 单晶的 PBN 涂层产品。 主要特点： 产品白色、无毒、无孔、易于制备。 纯度高达99.99%，表面致密。 气密性好，耐高温。强度随温度升高而增大，在2200°C时达到最大值。 具有耐酸、耐碱、耐盐、耐有机…

Innovacera PBN 陶瓷部件包括 PBN 圆盘、PBN 薄板、PBN 细丝环、PBN VGF 坩埚、PBN LEC 坩埚、PBN MBE 坩埚、PBN 锥形坩埚和其他 PBN 加工定制部件。 PBN 是一种六方氮化硼。它采用化学气相沉积工艺制成，以形成其坚固的主体，并且所有氮化硼晶体都平行于蒸汽沉积的表面生长。由于CVD工艺的性质，PBN产品通常要求产品；厚壁产品不超过3mm。PBN也是极高纯度氮化硼的正确选择。由于气体材料（BCl3 + NH3--> BN +HC…

磷化铟（InP）生长的关键材料是单晶——热解氮化硼（PBN） 自2002年以来，科学家们联合开发了一种新型半导体材料，可以使通信卫星在太空中以极高的速度传输数据。这种新材料被称为磷化铟（InP）。 InP是一种重要的化合物半导体材料，是继硅（Si）和砷化镓（GaAs）之后的新一代微电子和光电功能材料。磷化铟半导体材料具有电子极限漂移速度高、抗辐射性能好、热导率好等优点，与砷化镓半导体材料相比，具有击穿电场、热导率、平均电子速度高的特点。 InP单晶生长方法主要有高压液封…

氮化硼的突出特点> 热膨胀系数好，抗热震性好。 导热系数是石英的10倍，可降低因温度急剧变化而破裂的风险。所以即使经过20~1200℃多次循环也没有问题。 氮化硼与酸、碱、玻璃、大部分金属均不发生反应，机械强度较低，仅略高于石墨，但在高温下没有荷重软化现象，可用一般金属加工机加工。适用于熔炼、蒸发金属坩埚、器皿、液态金属输送管道、铸钢模具等。 氮化硼坩埚的分类 PBN坩埚 PBN坩埚无需经过传统的热压烧结工艺，也不需要添加任何烧结剂，纯度高（99…

分子束外延（MBE坩埚）法是制作砷化镓外延片的方法之一，该方法可以制作多层、同质、异质、超晶格、量子阱外延材料，晶体纯度高，化学稳定性好。 MBE坩埚 主要用于MBE法合成半导体单晶和ⅲ-ⅴ族化合物。 [caption id="attachment_24118" align="alignnone" width="640"] 微电子工业用热解氮化硼PBN陶瓷MBE坩埚[/caption] MBE坩埚主要特点 1.可制作大型坩埚（最大直径12英寸，最大高度17英寸）； 2.密度高（可…

热解氮化硼（PBN）属于六方晶系，是一种纯度高达99.999%的先进陶瓷材料。它由氨和硼卤化物在高温和高真空条件下通过化学气相沉积（CVD）形成。它不仅可以制成PBN片材，还可以制成坩埚、舟皿和涂层等PBN最终产品。 主要特点 与普通热压氮化硼（BN）不同，它不需要经过传统的热压烧结工艺，也不添加任何烧结剂，因此得到的产品具有以下显著特点： 无毒无味； 纯度高，达到99.999%以上； 它不常温下与酸、碱、盐、有机试剂发生反应，在熔盐、碱液中腐蚀轻微，但在高…