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パワーエレクトロニクスに窒化アルミを選ぶ理由-優れた熱管理ソリューション

高出力パワーエレクトロニクスの分野では、セラミックウェハーが大きな貢献をしています。ハイテク材料と聞くと、シリコン、グラフェン、あるいはイーロン・マスクが今週ツイートしているようなものが思い浮かぶかもしれません。しかし、ここInnovaceraでは、真の舞台裏のスーパースター、窒化アルミニウム(AlN)をご紹介したいと思います。

 

窒化アルミニウム(AlN)はシリコンほど知名度はないかもしれませんが、それ以上の優れた特性を持っています。それは、最大230 W/m・Kという高い熱伝導率です。
ちなみに、これはアルミナの9.5倍に相当します。エンジニアを驚かせ、熱管理の専門家を歓喜させるような性能と言えます。

 

パワーエレクトロニクス用窒化アルミニウム

 

LEDの冷却、レーザーダイオードの整列、高温センサーの安定した動作など、AlNはあらゆる用途に対応し、しかもスタイリッシュに機能します。
電気絶縁性、機械的強度(450MPa)、耐熱衝撃性、耐溶融金属性など、優れた特性を備えています。

Innovaceraは2インチから12インチまで、厚さ0.125mmから3mmまでのAlNウェハを提供しています。
ノッチ付きの6インチまたは8インチウェハをご希望ですか?ご用意しております。
カスタム仕様が必要ですか?お客様のご要望を伺い、エンジニアが対応いたします。

 

ですから、次回パワーモジュールやMOSFETを設計する際、あるいは単に圧力に負けない素材が必要な時は、AlNは単なる材料ではないことを思い出してください。
それは驚異的な素材です。そして今、厦門から笑顔とともにお届けします。

 

特性 単位 6インチウェハ 8インチウェハ
材料 AlN AlN
熱伝導率 W/(m·K) >170
>200
>220
>170
>200
>220
熱膨張係数 ppm/K (300~1200K) 4~6 4~6
焼結助剤 Y2O3 Y2O3
直径 mm 150±0.25 200±0.25
ノッチ深さ mm 1.0+0.25/-0/位置決めエッジ 1.0+0.25/-0
ノッチ角度 90°+5/-2° 90°+5/-2°
厚さ μm 400±15 400±15
厚さ公差 μm プレミアム: 0.0127 標準: 0.0254
TTV μm プレミアム: 5 標準: 10
反り μm ±30 ±30
経度 μm ±50 ±50
Ra nm ±50 ±50

 

参考情報として、以下のパラメータがあります。
熱伝導率のチャンピオン: 貴社資料に記載されているように、最大​​170~230 W/m・Kという非常に高い熱伝導率を誇り、迅速な放熱を可能にするため、電子機器の熱管理に最適な材料です。

 

ハイパワープロ: バンドギャップが約6.2eVの超広帯域半導体として分類され、非常に高い絶縁破壊電界強度を備えています。これにより、高電圧・高電力に耐えながら、優れた効率を実現します。

 

安定性の管理者:高温、高電圧、高周波環境下でも安定した性能を維持し、熱衝撃や化学腐食にも強く、揺るぎない信頼性で高い評価を得ています。

 

UV透過率の専門家:深紫外(DUV)光に対して優れた透過率を示し、LEDやレーザーなどのDUV光電子デバイスの製造に理想的な基板材料です。

 

詳細については、sales@innovacera.comまでお問い合わせください。


声明:これはINNOVACERA®のオリジナル記事です。転載する際は、出典リンクを明記してください:https://www.innovacera.com/ja/news-ja/why-choose-aluminum-nitride-for-power-electronics-superior-thermal-management-solution.html

FAQ

窒化アルミニウム(AlN)ウェハは、超広帯域ギャップ半導体(バンドギャップは約6.2 eV)に分類される先進的なセラミック基板です。従来のアルミナの9.5倍にあたる170~230 W/m・Kという超高熱伝導率を実現しているため、高出力電子機器に不可欠です。この優れた放熱性能と450 MPaという高い機械的強度により、MOSFETやパワーモジュールなどのデバイスは、高温高電圧環境下でも圧力による破損を起こすことなく、揺るぎない信頼性を維持できます。

Innovaceraは、直径2~12インチ(特定のノッチ角度を持つ高精度6インチおよび8インチオプションを含む)、厚さ0.125mm~3mmのAlNウェハを提供しています。はい、特定のニーズに合わせて高度にカスタマイズできます。
AlNは優れた深紫外(DUV)透過率を示し、プレミアムな公差(TTV ≤ 5μm、Bow < ±30μmなど)を提供しているため、これらのカスタマイズ可能なウェハは、LEDやレーザーダイオードなどの特殊なDUV光電子デバイスの製造に理想的な基板として機能します。

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