在半导体制造中，氮化硼可用作蚀刻剂和薄膜沉积原料，起到保护层的作用，防止器件损坏或污染。
此外，氮化硼还可作为电子束蒸发源材料用于制备各种薄膜材料。
例如：电子束蒸发镀膜导电氮化硼坩埚（BN坩埚） – 用于薄膜沉积设备。
导电氮化硼坩埚是专为电子束蒸发镀膜设计的高纯度光滑坩埚。
具有优异的耐高温和热循环性能，不会与各种金属和陶瓷稀土发生反应。
即使在快速加热和冷却条件下，坩埚仍保持完好。
它可用于合金熔化、稀土和陶瓷烧结以及电子束蒸发涂层。
它通常用于热蒸发工艺，例如高频感应加热、涂层、电子束蒸发涂层、铝和硅镀层。
导电氮化硼坩埚具有高纯度、高光洁度和出色的电子束蒸发涂层性能。
它们可提高蒸发速率、加速材料转换、提高热稳定性并降低功率要求，最终提高生产率和成本效益。
优点：
成膜效果好，纯度高，污染少，使用寿命长。
1.耐高温、耐热循环性能优异。
热膨胀率低，能抵抗大多数熔融金属的润湿。
2.耐高温可达2000℃，氮化硼不与铝发生反应，不易挥发。
3.提高蒸发速率；提高蒸发速率可缩短循环时间，提高总产量。
4.快速换料；导电氮化硼坩埚可实现快速换料，最大限度减少炉腔停机时间，提高工艺效率。
5.增强热稳定性；这些坩埚具有更高的热稳定性，减少了坩埚本身的热传递，确保蒸发一致且可控。
主要成分：BN+TiB2
密度 3.0g/cm3
粘结剂成分：B2O3
颜色：灰色
室温电阻率：300-2000 Ω·cm
工作温度：1800℃以下
热导率：> 40W/mk
热膨胀系数：(4-6) x10-6K
弯曲强度：> 130Mpa
蒸发速度：0.35-0.5g/min·cm2
