氮化铝陶瓷具有优良的导热性能、可靠的电绝缘性、较低的介电常数和介电损耗、无毒且热膨胀系数与硅相匹配，是新一代高集成度半导体基片和电子器件的理想封装材料，还可以用作热交换器、压电陶瓷及薄膜的导热填料。
AlN陶瓷可用作覆铜基板、电子封装材料、超高温器件封装材料、大功率器件平台材料、高频器件材料、传感器用薄膜材料、光电子用材料、涂层及功能增强材料。
应用：
1.散热基板及电子器件封装
适用于封装混合电源开关、微波真空管外壳，也可作为大规模集成电路的基板。
2.结构陶瓷
AIN陶瓷耐热、耐腐蚀，可用于制作坩埚、铝蒸发皿、半导体静电吸盘等耐高温腐蚀部件。
3.功能材料
氮化铝可用于制作可在高温或辐射条件下使用的高频、大功率器件，如大功率电子器件、高密度固态存储器等。
高纯度AlN陶瓷透明且具有优异的光学性能，结合其电学性能，可用于制造红外偏转器、传感器等功能器件。
4.惰性耐热材料
AlN作为耐热材料可用作坩埚、保护管、铸造模具等。氮化铝可在2000℃无氧气氛中，仍具有稳定的性能，是一种优良的高温耐火材料，抗熔融金属侵蚀能力强。
5.热交换器零件
氮化铝陶瓷导热系数高，热膨胀系数小，具有优良的导热性和抗热震性，可作为理想的耐热冲击和热交换器材料，例如氮化铝陶瓷可用作船用燃气轮机的热交换器材料和内燃机的耐热零件。
6.填充材料
氮化铝具有优良的电绝缘性、高导热性、良好的介电性能，与高分子材料的相容性好，是电子产品用高分子材料的优良添加剂，可用于TIM填料、FCCL导热介电层填料，广泛应用于电子设备中，作为热传递介质，从而提高效率，如CPU与散热器的缝隙填充，大功率晶体管与硅元件与基板接触处的缝隙处的导热填料。
