半導体製造において、窒化ホウ素はエッチング剤と薄膜堆積原料として使用でき、保護層の役割を果たし、デバイスの損傷や汚染を防止します。
また、窒化ホウ素は、様々な薄膜材料を製造するための電子ビーム蒸発源材料としても使用することができます。
例:電子ビーム蒸着膜導電性窒化ホウ素るつぼ（BNるつぼ） −薄膜蒸着装置に使用します。
導電性窒化ホウ素るつぼは、電子ビーム蒸着めっき膜のために設計された高純度の平滑なるつぼです。
優れた耐高温性と熱サイクル性能を持ち、各種金属やセラミックス希土類と反応しないです。
急速加熱及び冷却条件下においても、るつぼは完全なままです。
合金の溶融、希土類とセラミックスの焼結、電子ビーム蒸発コーティングに使用することができます。
それは通常、高周波誘導加熱、コーティング、電子ビーム蒸発コーティング、アルミニウム及びシリコンコーティングなどの熱蒸発プロセスに使用されます。
導電性窒化ホウ素るつぼは高純度、高光沢度、優れた電子ビーム蒸発コーティング性能を有します。
それらは蒸発速度を高め、材料の転換を加速し、熱安定性を高め、電力要求を下げ、最終的に生産性とコスト効果を高めることができます。
メリット：
成膜効果がよく、純度が高く、汚染が少なく、使用寿命が長い。
1.高温に強く、耐熱サイクル性能に優れている。
熱膨張率が低く、ほとんどの溶融金属の濡れに抵抗できる。
2.耐高温は200℃に達することができ、窒化ホウ素はアルミニウムと反応せず、揮発しにくい。
3.蒸発速度を高める、蒸発速度を高めることでサイクル時間を短縮し、総生産量を高めることができる。
4.迅速な材料交換、導電性窒化ホウ素坩堝は迅速な材料交換を実現でき、炉腔の停止時間を最大限に削減し、技術効率を高めることができる。
5.熱安定性を高める、これらの坩堝はより高い熱安定性を持ち、坩堝自体の熱伝達を減少させ、蒸発の一貫性と制御可能性を確保する。
主な成分：BN+TiB2
密度：3.0 g/cm 3
接着剤成分：B2O3
カラー：グレー
室温抵抗率：300-2000Ω・cm
動作温度：1800℃以下
熱伝導率：> 40W/mk
熱膨張係数：(4-6) x10-6K
曲げ強度:> 130Mpa
蒸発速度：0.35-0.5 g/min・cm 2
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