technical ceramic solutions

氮化硼坩埚应用-电子束蒸发

在半导体制造中,氮化硼可用作蚀刻剂和薄膜沉积原料,起到保护层的作用,防止器件损坏或污染。

 

此外,氮化硼还可作为电子束蒸发源材料用于制备各种薄膜材料。

 

例如:电子束蒸发镀膜导电氮化硼坩埚(BN坩埚 – 用于薄膜沉积设备。

 

导电氮化硼坩埚是专为电子束蒸发镀膜设计的高纯度光滑坩埚。

 

具有优异的耐高温和热循环性能,不会与各种金属和陶瓷稀土发生反应。

 

即使在快速加热和冷却条件下,坩埚仍保持完好。

 

它可用于合金熔化、稀土和陶瓷烧结以及电子束蒸发涂层。

 

它通常用于热蒸发工艺,例如高频感应加热、涂层、电子束蒸发涂层、铝和硅镀层。

 

导电氮化硼坩埚具有高纯度、高光洁度和出色的电子束蒸发涂层性能。

 

它们可提高蒸发速率、加速材料转换、提高热稳定性并降低功率要求,最终提高生产率和成本效益。

 

氮化硼坩埚

 

优点:

成膜效果好,纯度高,污染少,使用寿命长。

 

1.耐高温、耐热循环性能优异。

 

热膨胀率低,能抵抗大多数熔融金属的润湿。

 

2.耐高温可达200​​0℃,氮化硼不与铝发生反应,不易挥发。

 

3.提高蒸发速率;提高蒸发速率可缩短循环时间,提高总产量。

 

4.快速换料;导电氮化硼坩埚可实现快速换料,最大限度减少炉腔停机时间,提高工艺效率。

 

5.增强热稳定性;这些坩埚具有更高的热稳定性,减少了坩埚本身的热传递,确保蒸发一致且可控。

 

主要成分:BN+TiB2

密度 3.0g/cm3

粘结剂成分:B2O3

颜色:灰色

室温电阻率:300-2000 Ω·cm

工作温度:1800℃以下

热导率:> 40W/mk

热膨胀系数:(4-6) x10-6K

弯曲强度:> 130Mpa

蒸发速度:0.35-0.5g/min·cm2

Related Products

  • TO-220 Ceramic Insulator Cooling Pads

    TO-220陶瓷绝缘体散热垫

    Innovacera TO-220 陶瓷绝缘体安装在 TO-220 封装功率晶体管和散热器之间,尺寸为 14 x 20 x 1 毫米(0.55 x 0.79 x 0.04 英寸),安装孔直径可为 3.8 毫米或 5 毫米,也可提供无孔和定制孔。每袋 100 个包装,TO-220 陶瓷绝缘体散热垫广泛应用于半导体器件、大功率设备、集成电路、ICMOS 管、IGBT 贴片绝缘、三极管、高频电源通信、机…

  • Alumina Ceramic Insulating Sheet & Aluminum Nitride Ceramic Insulating Sheet

    TO 247陶瓷绝缘片

    Innovacera TO-247 陶瓷绝缘片旨在优化分立半导体(包括 MOSFET、IGBT 和晶体管)的热管理。TO-247 陶瓷绝缘片是一款高性能导热界面产品,由氧化铝陶瓷 (Al₂O₃) 和 氮化铝陶瓷 材料制成,提供两种类型:带 3.7 毫米孔的散热垫和不带孔的散热垫。

  • Silicon nitride grinding ball

    氮化硅研磨介质球

    Innovacera氮化硅研磨介质球采用滴定、滚压和CIP(冷等静压)成型3种方式制成,并在1800~2100℃下进行气压烧结。氮化硅的纯度为99%,一般如果直径尺寸大于3mm,我们会选择CIP成型方式。

发送询盘