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技术陶瓷元件在半导体行业中的应用

技术陶瓷部件是半导体制造设备不可或缺的一部分,技术陶瓷部件纯度高,微量金属含量低,这意味着它们可以构成 CVD、PVD、等离子蚀刻和离子注入的工艺室材料或内部工艺表面,其强介电性能非常有益,因此在半导体工业中得到广泛应用。

PBN MBE 坩埚半导体行业使用先进的技术陶瓷,包括氧化铝陶瓷 (AL2O3)、氮化铝 (ALN)、多孔陶瓷、氮化硼 (BN)、热解氮化硼 (PBN) 和碳化硅 (SiC)。 PBN主要用于金属氧化物(MOCVD)沉积工具中的坩埚,主要的单晶生长方法是LEC和VGF,因此需要PBN LEC和VGF坩埚。PBN分子束外延(MBE)坩埚是当今世界上最重要的III-V族和II-VI族半导体晶体外延生长工艺之一。PBN坩埚是该工艺中蒸发元素和合成材料的最佳容器。蒸发坩埚周围的PBN环用于OLED设备。

更多用于半导体行业的陶瓷零件如下:

用于 PVD ​​和 MOCVD 设备的氮化硼陶瓷绝缘体部件 多孔陶瓷真空吸盘 金属化陶瓷盘
用于 PVD ​​和 MOCVD 设备的氮化硼陶瓷绝缘体部件。 多孔陶瓷广泛用于真空卡盘。 用于 IC 封装的金属化陶瓷部件。

陶瓷晶圆机器人手臂陶瓷末端执行器氧化铝陶瓷和氮化铝通常用于室内部的静电卡盘。Innovacera 制造用于末端执行器的陶瓷晶圆(通常称为机器人的手),陶瓷末端执行器具有良好的刚度和高强度,因此机器人手臂可以更快地稳定到最终位置。末端执行器构成机器人手臂的末端,用于在位置之间处理和移动半导体晶圆。

陶瓷材料的选择取决于其将要暴露的沉积化学性质。例如,如果使用等离子,则必须使用至少99.5%的氧化铝。等离子耐腐蚀是半导体制造设备中部件的主要特性。

氮化铝陶瓷氮化铝(AlN)是一种共价键化合物,具有六方纤锌矿结构,晶格参数a=3.114和c=4.986。颜色通常为灰色,是典型的III-V宽带隙半导体材料。

氮化铝陶瓷具有强度高、体积电阻率高、绝缘耐压高、热膨胀系数大、与硅匹配性好等特点。它们非常适合半导体基板、陶瓷电子基板和结构封装材料。在电子行业的潜力巨大。

Innovacera是一家成立于2012年的先进陶瓷元件制造商,在陶瓷行业拥有丰富的经验,由优秀的团队严格控制产品质量和检验。我们提供超出现有产品的定制解决方案。我们热忱欢迎客户建立合作关系,与我们共创美好未来。

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