我们的热解氮化硼 (PBN) 采用化学气相沉积 (CVD) 工艺处理。性能卓越的 PBN 是炉、电气、微波和半导体元件的理想选择。 分子束外延 (MBE) 是当今世界上最重要的 III-V 族和 II-VI 族半导体晶体外延生长工艺之一。 MBE 中使用的束源坩埚需要具有耐高温、高纯度、使用寿命长等特点。 PBN 坩埚完全可以满足上述要求。它是 MBE 工艺中蒸发元素和化合物的理想容器。 如需了解有关我们的热解氮化硼材料的更多信息，请立即联系我们。

PBN-PG-Heater-Element 高纯度、高性能热解氮化硼用作 PBN 加热元件的基材。通过 CVD 方法将热解石墨 (PG) 放置在 PBN 板的表面上，作为导体和加热器。 由于 PG 和 PBN 都非常纯净，并且在真空或惰性气体中非常稳定，因此 PBN-PG 加热元件非常耐用，并能保持腔体清洁。它可以在很短的时间内加热到1600°C，并且不会排放任何气体成分。这些加热元件是半导体行业和需要高温、高真空和高纯度应用的理想产品。 PBN/PG复合加热元件规格 …

氮化硼的突出特点> 热膨胀系数好，抗热震性好。 导热系数是石英的10倍，可降低因温度急剧变化而破裂的风险。所以即使经过20~1200℃多次循环也没有问题。 氮化硼与酸、碱、玻璃、大部分金属均不发生反应，机械强度较低，仅略高于石墨，但在高温下没有荷重软化现象，可用一般金属加工机加工。适用于熔炼、蒸发金属坩埚、器皿、液态金属输送管道、铸钢模具等。 氮化硼坩埚的分类 PBN坩埚 PBN坩埚无需经过传统的热压烧结工艺，也不需要添加任何烧结剂，纯度高（99…

技术陶瓷部件是半导体制造设备不可或缺的一部分，技术陶瓷部件纯度高，微量金属含量低，这意味着它们可以构成 CVD、PVD、等离子蚀刻和离子注入的工艺室材料或内部工艺表面，其强介电性能非常有益，因此在半导体工业中得到广泛应用。 半导体行业使用先进的技术陶瓷，包括氧化铝陶瓷 (AL2O3)、氮化铝 (ALN)、多孔陶瓷、氮化硼 (BN)、热解氮化硼 (PBN) 和碳化硅 (SiC)。 PBN主要用于金属氧化物（MOCVD）沉积工具中的坩埚，主要的单晶生长方法是LEC和VGF，因此需要PBN LE…

INNOVACERA ESD（防静电）安全微孔陶瓷真空吸盘（黑色和深棕色）可定制，为薄膜材料的自动化处理或视觉检测提供高性能的吸力和夹持。可满足半导体光刻技术和平板显示器OLED切割的要求。 防静电微孔陶瓷真空吸盘的优点： 可在高真空环境下实现全区域精密吸附夹持；污染小，不损伤晶圆； 吸附力均匀，吸附时不会产生局部受力，使晶圆不会翘曲变形，吸附力持续稳定，可保证晶圆的加工精度； 广泛应用于半导体光刻等工艺； 可吸附金属箔、晶圆、玻璃、树脂膜等导体、半导体、绝缘体等。

陶瓷微孔吸盘采用微孔陶瓷材料经特殊工艺制成，孔径分布均匀，内部连通，研磨后表面光滑细腻，平整度好。 广泛应用于半导体、电子器件、薄膜制品等需要真空吸盘设备的行业。 以下为详细应用案例 1.半导体与微电子 晶圆切割。 晶圆研磨。 晶圆清洗。 晶圆AOI检测。 2.显示面板与移动电子 LCD离型膜、AOI检测。 OLED激光切割、AOI检测。 触摸屏OCA贴合。 3.光伏与新能源 光伏薄膜转移与压合。 …

氮化铝陶瓷 (AlN) 是一种特殊的陶瓷材料，兼具高导热性和高电阻率。只有少数陶瓷具有高导热性：例如氧化铍 (BeO) 和立方氮化硼 (c-BN) 几乎是唯一的其他例子。然而，由于 BeO 粉末的毒性，其使用受到限制，而 c-BN 很难生产。 此外，该材料适合用厚膜和薄膜技术进行进一步加工，氮化铝是电信技术应用的理想材料。 因此，氮化铝陶瓷被用作半导体的基板，以及大功率电子零件、外壳和散热器。

陶瓷微孔吸盘台采用微孔陶瓷材料经特殊工艺制成，孔径分布均匀，内部连通，研磨后表面光滑细腻，平整度好。 广泛应用于半导体、电子器件、薄膜制品等需要真空吸盘设备的行业。 以下是详细应用案例 1. 半导体及微电子 . 晶圆切割。 . 晶圆研磨。 . 晶圆清洗。 . 晶圆AOI检测。 2. 显示面板及移动电子产品 .LCD离型膜、AOI检测。 .OLED激光切割、AOI检测。 .触控面板OCA贴合。 3.光伏及新能源 .光伏薄膜转移与压合 .激光焊接固定 .…

热解氮化硼也称为PBN。它也具有与热压氮化硼陶瓷相同的六方晶体结构，但生产工艺不同。PBN采用化学气相沉积（CVD）生产，无需经过传统的热压烧结工艺。纯度高达99.99%。得益于高纯度、良好的热稳定性和化学惰性，PBN陶瓷适用于半导体元件或真空系统。广泛应用于制作化合物半导体（如GaAs、InP等）单晶生长用陶瓷坩埚、分子束外延用坩埚、OLED用坩埚等。 PBN陶瓷的主要特性 导热性好 绝缘电阻高 在宽温度范围内具有高介电强度。 极纯 不润湿 …