我们的热解氮化硼 (PBN) 采用化学气相沉积 (CVD) 工艺处理。性能卓越的 PBN 是炉、电气、微波和半导体元件的理想选择。
分子束外延 (MBE) 是当今世界上最重要的 III-V 族和 II-VI 族半导体晶体外延生长工艺之一。
MBE 中使用的束源坩埚需要具有耐高温、高纯度、使用寿命长等特点。 PBN 坩埚完全可以满足上述要求。它是 MBE 工艺中蒸发元素和化合物的理想容器。
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氮化硼陶瓷如何满足先进CVD、PVD和MOCVD工艺的材料需求
随着半导体制造工艺不断向更高温度、更高纯度和更复杂的等离子体环境发展，设备内部材料的稳定性和洁净度正成为影响良率和设备寿命的关键因素。在此背景下，氮化硼 (BN) 和热解氮化硼 (PBN) 陶瓷材料的应用正逐渐从传统的耐高温部件扩展到整个工…
