如果您正在寻找高导热氮化铝基板及结构件的可靠供应源，那么接下来的两分钟将对您大有裨益。
需求激增
AI计算的功耗曲线正呈螺旋式上升。下一代AI芯片的功耗已逼近3000W，部分1.6T光模块架构的功耗也已超过45W。在高温环境下，传统PCB基板发生翘曲已从一种“风险”演变为“必然”。
行业发展路径已十分明确：以陶瓷基板替代传统PCB。在高速光模块领域，氮化铝基板已成为1.6T及更高规格产品的主流解决方案；它能将光芯片结温保持在60°C以下，并将散热效率提升5倍以上。
这已不再是可选项，而是必选项。
然而，在需求激增的同时，供应却日益紧张。
在全球高端氮化铝粉体市场，海外制造商占据主导地位。但自2026年1月起，氧化钇（氮化铝的关键烧结助剂之一）对日出口受到管制。海外生产商因此面临原材料短缺和交货周期延长的困境。
目前，高端氮化铝粉体的国内本土化率仅为4%。
这意味着：能够稳定供应230W级产品的制造商寥寥无几。
我们的产品
导热率达 230 W/m·K 的氮化铝基板及精密结构件。均为量产产品，而非实验室数据。
230 W/m·K 属于目前可实现稳定量产的最高导热等级之一。该产品并非针对通用市场，而是专为热源面积仅为数平方毫米且热通量密度极高的应用场景而设计。根据热阻公式 R = t/(k×A)，当热源面积大幅缩小时，导热率的每一次微小提升在降低结温方面的成效都会被显著放大。对于毫米级热源而言，230 W/m·K 与 200 W/m·K 之间 30 W/m·K 的导热率差异，往往就是设备“稳定运行”与发生“热失控”的分水岭。
我们的产品系列涵盖基板与结构件，适用于以下应用领域：
基板：
– 高速光模块：激光器子载体/基板、薄膜子载体、TEC陶瓷基板
– 高功率激光器：激光芯片过渡散热片、泵浦源封装基板
– AI计算封装：GPU/交换机芯片局部散热基板、CPO光引擎热管理
结构组件：
– 光模块外壳与封装：高导热、高尺寸精度的陶瓷结构件
– 激光器件封装：绝缘导热结构组件
– AI计算硬件：用于散热与绝缘的精密陶瓷结构件
2026年6月，国内某领先的氮化铝薄膜基板供应商公开表示其产品“供不应求”。
2026年光模块陶瓷组件市场总规模约为135亿元人民币，其中基板约占99亿元。受1.6T/3.2T产品放量驱动，预计到2027年该市场规模将激增至200亿-220亿元人民币，年复合增长率（CAGR）超过60%。
市场持续扩张，供应日益紧张，国产替代的窗口期已经开启。
合作方式
我们深知，高导热氮化铝产品的导入认证需要双方共同验证。
我们提供：
– 样品测试：面向具备适用场景的客户
– 定制规格：涵盖多种厚度、尺寸、表面处理及结构形状
– 联合验证：涵盖从基板到金属化、封装及结构组装的全流程验证
我们期待与以下企业建立合作：
– 光模块/光器件封装制造商
– 高功率激光器/激光散热片制造商
– AI计算芯片封装及散热解决方案提供商
如果您正在为 1.6T/3.2T 光模块、高功率激光器或 AI 芯片封装散热方案寻求高导热氮化铝基板及结构件的稳定供应，请联系我们。
并非所有供应商都能提供 230W 级材料，而我们已准备就绪。
