Nachrichten

Ein Zeitfenster für Aluminiumnitrid um 230W öffnet sich

Wenn Sie auf der Suche nach einer zuverlässigen Versorgung mit Aluminiumnitrid-Substraten und Strukturbauteilen mit hoher Wärmeleitfähigkeit sind, sind die nächsten zwei Minuten Ihre Zeit wert.

 

Die Nachfrage steigt rasant

 

Die Stromverbrauchskurve des KI-Computing steigt steil an. KI-Chips der nächsten Generation nähern sich 3000 W, und einige 1,6-T-Optikmodul-Architekturen haben bereits 45 W überschritten. Das Verziehen herkömmlicher PCB-Substrate unter hohen Temperaturen hat sich von einem „Risiko” zu einer „Unvermeidlichkeit” entwickelt.

 

Der Weg der Branche ist klar: herkömmliche PCBs durch Keramiksubstrate ersetzen. In Hochgeschwindigkeits-Optikmodulen sind Aluminiumnitrid-Substrate zur Mainstream-Lösung für 1,6 T und darüber geworden, wobei die Sperrschichttemperatur optischer Chips unter 60 °C gehalten und die Wärmeableitungseffizienz um mehr als das 5-Fache verbessert wird.

 

Dies ist keine Option mehr — es ist eine Pflicht.

 

Während die Nachfrage steigt, wird das Angebot knapper.

 

Im globalen Hochleistungs-Aluminiumnitridpulver-Sektor nehmen ausländische Hersteller eine dominante Stellung ein. Doch im Januar 2026 wurde Yttriumoxid — eines der wichtigsten Sinterhilfsmittel für Aluminiumnitrid — unter Exportkontrollen gegenüber Japan gestellt. Ausländische Hersteller sehen sich nun mit Rohstoffengpässen und verlängerten Lieferzeiten konfrontiert.

 

Die inländische Lokalisierungsrate von hochwertigem Aluminiumnitridpulver liegt bei nur 4 %.

 

Das bedeutet: Hersteller, die in der Lage sind, stabil Material der 230-W-Klasse zu liefern, sind rar gesät.

 

Aluminum nitride ceramics (AlN)

 

Unser Angebot

 

Aluminiumnitrid-Substrate mit hoher Wärmeleitfähigkeit von 230 W/m·K und Präzisions-Strukturbauteile. Serienproduktion — keine Labordaten.

 

230 W gehört zu den thermisch leitfähigsten Güten, die heute stabil in Serie produziert werden können. Sie richtet sich nicht an allgemeine Märkte, sondern an Anwendungen, bei denen die Wärmequellenfläche nur wenige Quadratmillimeter beträgt und die Wärmestromdichte extrem hoch ist. Gemäß der Wärmewiderstandsformel R = t/(k×A) wird der Sperrschichttemperatur-Vorteil jedes inkrementellen Anstiegs der Wärmeleitfähigkeit verstärkt, wenn die Wärmequellenfläche drastisch schrumpft. Der Unterschied von 30 W zwischen 230 W und 200 W kann bei einer Wärmequelle im Millimetermaßstab die Grenze zwischen „stabilem Betrieb” und „thermischem Durchgehen” sein.

 

Unser Produktportfolio umfasst sowohl Substrate als auch Strukturbauteile und bedient folgende Anwendungsbereiche:

 

Substrate:

 

– Hochgeschwindigkeits-Optikmodule : Laser-Submounts/Substrate, Dünnfilm-Submounts, TEC-Keramiksubstrate

– Hochleistungslaser : Laserchip-Übergangs-Wärmesenken, Pumpenquellen-Verpackungssubstrate

– KI-Computing-Packaging : lokale Wärmeableitungssubstrate für GPU-/Switch-Chips, thermisches Management für CPO-Optikmodule

Strukturbauteile:

– Optikmodul-Gehäuse und -Verpackungen : Keramik-Strukturbauteile mit hoher Wärmeleitfähigkeit und Maßpräzision

– Lasergeräte-Verpackungen : isolierende und wärmeleitende Strukturbauteile

– KI-Computing-Hardware : Präzisions-Keramik-Strukturbauteile für Wärmeableitung und Isolierung

 

Im Juni 2026 erklärte ein führender inländischer Anbieter von Aluminiumnitrid-Dünnfilm-Substraten öffentlich, dass seine Produkte „stark nachgefragt” seien.

 

Das Gesamtmarktvolumen für Keramikbauteile in Optikmodulen beträgt im Jahr 2026 etwa 13,5 Milliarden RMB, wovon Substrate etwa 9,9 Milliarden RMB ausmachen. Bis 2027 wird dieses Volumen, angetrieben durch den Hochlauf von 1,6-T/3,2-T-Produkten, voraussichtlich auf 20–22 Milliarden RMB ansteigen, mit einer CAGR von über 60 %.

 

Der Markt wächst, das Angebot wird knapper, und das Fenster für die inländische Substitution öffnet sich.

 

Möglichkeiten der Zusammenarbeit

 

Wir verstehen, dass die Qualifizierung von Aluminiumnitrid-Produkten mit hoher Wärmeleitfähigkeit eine gemeinsame Validierung erfordert.

 

Wir bieten:

 

– Musterprüfung: für Kunden mit geeigneten Anwendungsszenarien

– Kundenspezifische Spezifikationen: verschiedene Dicken, Abmessungen, Oberflächenbehandlungen und Strukturgeometrien

– Gemeinsame Validierung: vollständiger Prozess vom Substrat bis zur Metallisierung, Verpackung und Strukturmontage

 

Wir suchen den Kontakt zu:

 

– Herstellern von Optikmodulen / optischen Geräten

– Herstellern von Hochleistungslasern / Laser-Wärmesenken

– Anbietern von KI-Computing-Chip-Packaging und thermischen Lösungen

 

Wenn Sie eine stabile Versorgung mit Aluminiumnitrid-Substraten und Strukturbauteilen mit hoher Wärmeleitfähigkeit für 1,6-T/3,2-T-Optikmodule, Hochleistungslaser oder thermische Lösungen für KI-Chip-Packaging suchen, kontaktieren Sie uns bitte.

 

Nicht jeder kann Material der 230-W-Klasse liefern. Wir sind bereit.

Häufig gestellte Fragen

Was ist ein 230W-Aluminiumnitrid-Substrat mit hoher Wärmeleitfähigkeit? Warum ist es für das KI-Chip-Packaging und 1,6T-optische Module unverzichtbar?

Ein 230W-Aluminiumnitrid-Substrat (AlN) erreicht eine Wärmeleitfähigkeit von 230 W/m·K und gehört damit zu den höchsten Güten, die heute stabil in Massenproduktion hergestellt werden können. Bei KI-Chips und 1,6T-optischen Modulen, bei denen die Wärmequellenflächen nur wenige Quadratmillimeter betragen und die Wärmestromdichte extrem hoch ist, ist dieses Niveau der Wärmeleitfähigkeit entscheidend. Gemäß der Wärmewiderstands-Formel R = t/(k×A) gilt: Je kleiner die Wärmequellenfläche, desto größer der Nutzen einer höheren Wärmeleitfähigkeit für die Sperrschichttemperatur. Der Unterschied von 30 W/m·K zwischen 230W- und 200W-Materialien kann über stabilen Betrieb oder thermisches Durchgehen entscheiden – damit sind 230W-AlN-Substrate eine zwingend erforderliche Lösung und kein optionales Upgrade.

Warum wird das globale Angebot an hochwertigen Aluminiumnitrid-Substraten knapper? Welche dringende Beschaffungsherausforderung ergibt sich daraus für Hersteller optischer Module und Laser?

Das globale Angebot an hochwertigen Aluminiumnitrid-Substraten wird aufgrund zweier zusammenwirkender Faktoren knapper. Erstens steigt die Nachfrage rasant, da der Energieverbrauch für KI-Rechenleistung pro Chip auf nahezu 3000 W ansteigt und 1,6T/3,2T-optische Module sich verbreiten, was die Massenadoption von Keramiksubstraten als Ersatz für herkömmliche Leiterplatten antreibt. Zweitens ist das Angebot eingeschränkt, weil ausländische Hersteller, die den hochwertigen AlN-Pulversektor dominieren, nun mit Rohstoffengpässen konfrontiert sind, nachdem Yttriumoxid – ein wichtiges Sinterhilfsmittel für Aluminiumnitrid – im Januar 2026 unter Exportkontrollen gegenüber Japan gestellt wurde. Da die inländische Lokalisierungsrate von hochwertigem AlN-Pulver bei lediglich 4 % liegt, sind Hersteller, die stabil 230W-Material in großem Maßstab liefern können, äußerst selten. Daher sind eine frühzeitige Qualifizierung und Lieferkettenpartnerschaften für Hersteller optischer Module, Laser und KI-Hardware von strategischer Bedeutung.

Verwandte Artikel

Zurück