アルミナセラミック部品は、優れた 電気絶縁性 、高い熱伝導性、そして機械的強度を備えているため、半導体プロセス装置に広く使用されています。半導体製造において、アルミナセラミック部品は特にイオン注入装置において重要な役割を果たしています。
注入装置は、イオンを加速して基板に注入し、その特性を変更する半導体製造における重要なプロセスであるイオン注入に使用されます。
アルミナセラミック部品 は、イオン注入プロセスに特有の高温および腐食環境に耐えられるよう設計された、絶縁体、ウェハ、サポート構造などの注入装置に使用されます。
- セラミックウェーハキャリア：イオン注入中にウェーハを保持・支持します。
- セラミック絶縁リング：漏電を防止し、安全性を確保します。
- 各種フィードスルー：真空度を維持しながら電気信号の経路を提供します。
アルミナセラミック部品 メリット:
- 高い電気絶縁性
- 半導体プロセスにおける漏電を防止し、安全性を確保
- 優れた熱伝導性
- 半導体部品の過熱を防止
- 優れた機械的強度
- 耐摩耗性
- 厳しい半導体環境における長寿命と耐久性を確保
- 化学的安定性と耐腐食性
- 超高精度の公差で機械加工可能
- 半導体アプリケーションにおける高精度で信頼性の高い性能を確保
- 半導体プロセスで使用される他の材料と反応しない
99.5% アルミナセラミック部品 性質:
| アルミナセラミック材料の特性 | |
| 特性 | 値 |
| 主な成分 | Al2O3>99.5% |
| 密度 | >3.95 |
| 硬度 (Gpa) | 15~16 |
| 室温電気抵抗率 (Ω·cm) | >10 14 |
| 最高使用温度(℃） | 900.00 |
| 3点曲げ強度 (MPA) | 450.00 |
| 圧縮強度(MPA) | 45.00 |
| ヤング率 (Gpa) | 300-380 |
| 熱膨張係数(20-1000℃)(10-6/K) | 6~8 |
| 熱伝導率(W/m·k) | 30.00 |
| 絶縁耐力(kv/mm) | 18.00 |
| 誘電率 | 9~10 |
| 誘電損失 (*10-4) | 2.00 |
| 表面粗さ | <Ra0.05um |
| 注意: この値はあくまでも参考値であり、使用条件によって多少の違いが生じます。 | |
半導体プロセス装置、特に注入装置におけるアルミナセラミック部品の使用により、アルミナセラミック材料は半導体産業に欠かせない材料となっています。 アルミナセラミックベース やアルミナセラミックノズルなどのアルミナ注入装置セラミック部品は、半導体製造プロセスの信頼性、精度、長寿命を保証します。
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