在高功率电子领域，陶瓷晶片发挥着巨大的作用。提到高科技材料，你可能首先想到的是硅、石墨烯，或者埃隆·马斯克这周在推特上提到的其他东西。但在Innovacera，我们想向你介绍一位真正的幕后明星——氮化铝，如果你懂行的话，简称AlN。
虽然AlN不像硅那样家喻户晓，但它拥有更胜一筹的优势：高达230 W/m·K的热导率。如果你好奇的话，这可是氧化铝的9.5倍。如此卓越的性能，足以让工程师们惊叹不已，让热管理专家们欣喜若狂。
无论是用于 LED 散热、保持激光二极管稳定运行，还是用于高温传感器，氮化铝都能胜任，而且性能卓越。它具有良好的电绝缘性、机械强度（高达 450 MPa，如果您感兴趣的话），并且耐热冲击和耐熔融金属腐蚀。
Innovacera 提供 2 英寸至 12 英寸、厚度从 0.125 毫米到 3 毫米的氮化铝晶圆。想要带凹槽的 6 英寸或 8 英寸晶圆吗？我们有现货。需要定制产品？我们随时倾听您的需求——我们拥有专业的工程师团队。
所以，下次当您设计功率模块、MOSFET，或者只是想要一种不会在高压下开裂的材料时，请记住：氮化铝 (AlN) 不仅仅是一种材料，它更是一种奇迹。现在，厦门就能为您提供优质的氮化铝产品，并始终秉持着“微笑服务”的理念。
缺口深度毫米1.0+0.25/-0/定位边缘1.0+0.25/-0厚度公差μm高级：0.0127 标准： 0.0254
| 性能 | 单位 | 6英寸晶圆 | 8英寸晶圆 |
|---|---|---|---|
| 材料 | – | 氮化铝 | 氮化铝 |
| 热导率 | W/(m·K) | >>170
>200 >220 |
>>170
>200 >220 |
| 热膨胀系数 | ppm/K (300~1200K) | 4~6 | 4~6 |
| 烧结助剂 | – | Y2O3 | Y2O3 |
| 直径 | 毫米 | 150±0.25 | 200±0.25 |
| 缺口角度 | – | 90°+5/-2° | 90°+5/-2° |
| 厚度 | μm | 400±15 | 400±15 |
| TTV | μm | 高级版：5 标准版： 10 | |
| 弓形 | μm | <±30 | <±30 |
| 翘曲 | μm | <50 | <50 |
| Ra | nm | <50 | |
以下是相关信息参数：
导热性能卓越：该材料具有超高的导热系数（如文档所述，高达 170-230 W/m·K），能够快速散热，是电子设备散热管理的理想材料。
高功率性能：该材料属于超宽带隙半导体（带隙约为 6.2 eV），具有极高的击穿场强。这使其能够在高电压和高功率下保持优异的效率。
稳定性卓越：该材料在高温、高电压和高频环境下均能保持稳定的性能，并且耐热冲击和化学腐蚀，以其卓越的可靠性赢得了良好的声誉。
紫外透射专家：该产品对深紫外 (DUV) 光具有优异的透射率，是制造 LED 和激光器等深紫外光电器件的理想衬底材料。
更多详情，欢迎联系 sales@innovacera.com。
