电子封装基板种类繁多,常用的基板主要分为塑料封装基板、金属封装基板和陶瓷封装基板。塑料封装材料通常导热系数较低,可靠性较差,不适合高要求场合。金属封装材料导热系数高,但一般热膨胀系数不匹配,价格昂贵。
电子封装常用的是陶瓷基板。陶瓷基板与塑料、金属基板相比,具有以下优点:
1.绝缘性能好,可靠性高;
2.介电系数低,高频性能好;
3.膨胀系数低,热导率高;
4.气密性好,化学性质稳定,对电子系统有较强的保护作用。
因此适用于航空、航天、军事等高可靠性、高频、耐高温、气密性好的产品封装。超小型片式电子元器件广泛应用于移动通讯、计算机、家用电器、汽车电子等领域,其载体材料通常采用陶瓷基板封装。
目前,电子封装常用的陶瓷基板材料有氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)、氮化硅(Si3N4)、碳化硅(SiC)、氮化硼(BN)、氧化铍(BeO)。
各种材料基板的应用领域如下:
1.氧化铝陶瓷基板
Al2O3陶瓷基板虽然产量大,应用范围广,但其热导率比硅单晶高,限制了其在高频、大功率及超大规模集成电路中的应用。
2.氮化铝陶瓷基板
AlN陶瓷的核心原料AlN粉末制备工艺复杂,能耗高,周期长,价格昂贵,高成本限制了AlN陶瓷的广泛应用,因此AlN陶瓷基板主要应用于高端行业。
3.氮化硅陶瓷基板
Si3N4陶瓷介电性能较差(介电常数为8.3,介电损耗为0.001~0.1),且生产成本较高,限制了其作为电子封装陶瓷基板的应用。
4.碳化硅陶瓷基板
SiC介电常数太高,为AlN的4倍,且抗压强度低,只适合于低密度封装,不适用于高密度封装。除用于集成电路元件、阵列元件、激光二极管等外,还用于导电结构元件。
5.氧化铍陶瓷基片
它的用途仅限于以下几个方面:大功率晶体管的散热片、高频大功率半导体器件的散热片、发射管、行波管、激光管、速调管,BeO陶瓷基片由于其热导率高、高频特性理想,有时也用于航空电子和卫星通讯中。
6、氮化硼陶瓷基片
BN具有热导率高、热导率几乎不随温度变化、介电常数小、绝缘性能好等优点,广泛应用于雷达窗口、大功率晶体管管基座、管壳、散热片及微波输出窗口等领域。
各种材质陶瓷基板性能:
性能 | 性能 | 单位 | ALN | AI2O3 | BeO | SiC | BN | Si3N4 | |
含量 | % | 95 | 96.0 | 99.5 | 99.0 | / | 99-997 | / | |
密度 | g/cm3 | ≥3.32 | 3.72 | 3.90 | 2.52 | ≥3.03 | 1.6-2.0 | 3.26±0.05 | |
热性能 | 最高使用温度 | ℃ | 800 | 1700 | 1750 | / | 1300 | 900-2100 | / |
导热系数 | (W/m·K)20℃ | / | 24.70 | 30.00 | 230 | 90-110 | 35-85 | / | |
(W/m·K)100℃ | 170 | / | / | / | / | / | / | ||
热膨胀 | ×10-6℃(25~400℃) | 4.4 | / | / | / | 4.0 | 0.7~7.5 | 3.0-3.2 | |
×10-6℃(25~800℃) | / | 8.2 | 8.2 | 7.0-8.5 | / | / | / | ||
×10-6℃(20~100℃) | / | / | / | / | / | 1.5-2.8 | / | ||
电气性能 | 电阻率(Ω*cm) | Ω·cm (25℃) | >1014 | >1015 | >1015 | ≥1014 | / | >1014->1013 | >1018 |
Ω·cm (300℃) | / | / | / | ≥1011 | / | / | / | ||
介电常数 | 1MHz(10±0.5)GHz | 8.9 | 8.3 | 8.7 | 6.9±0.4 | 40 | 4.0 | 9.4 | |
介电损耗 | (×10-4)(1Hz) | 3~10 | 0.0002 | 0.0001 | / | / | / | / | |
耐电压 | (kV*mm-1) | 15 | 10 | 10 | 10 | 0.07 | 300~400 | 100 | |
力学性能 | 硬度(HV) | MPa | 1000 | 25 | 12 | 91-93(HRA) | / | 160-1800 | |
弯曲强度 | MPa | ≥410 | 300~350 | 200 | ≥350 | 40~80 | 700-800 | ||
弹性模量 | GPa | 320 | 370 | 350 | 350 | / | 320 | ||
毒性 | / | (W/m·K)20℃ | 无 | 无 | 有 | 无 | 无 | 否 |