technical ceramic solutions

影响陶瓷金属化程度的因素有哪些?

1.金属化配方。

这是实现陶瓷金属化的前提,其配方需要精心、科学地设计。

2.金属化烧结温度及保温时间。

金属化温度可分为以下四个过程:
1)温度超过1600℃为超高温;
2)1450~1600℃为高温;
3)1300~1450℃为中温;
4)1300℃以下为低温。
烧结温度要适宜,温度过低,玻璃相不会扩散迁移;温度过高,金属化强度差。

3.金属化的组织层。

金属化工艺决定了金属化层的组织结构,组织结构直接影响焊接体的最终性能。要获得良好的焊接性能,首先金属化层应为致密的膜层,结合强度高。如果金属化层微观结构层次分明,界面处均未观察到连续的脆性金属化合物,则脆性及裂纹扩展的概率就会降低,界面裂纹较少,有利于减少焊料渗透。说明金属化层致密性好,结合强度较高。

Metallized Ceramics

哪些因素会影响陶瓷的金属化


4. 其他因素。

影响陶瓷金属化程度的因素还有很多,需要引起重视,比如粉末粒度及合理级配的影响,粉末太细,表面能大,容易形成团聚,影响涂层的平整度;粉末太粗,表面能下降,导致烧结温度升高,影响烧结质量。另外,涂层方式、涂层厚度也会对陶瓷金属化产生很大的影响。

我们在金属化陶瓷方面有30年的生产经验,如果您有更多问题,请随时与我们联系。

Metallizing Furance

哪些因素会影响陶瓷的金属化

Related Products

  • TO-220 Ceramic Insulator Cooling Pads

    TO-220陶瓷绝缘体散热垫

    Innovacera TO-220 陶瓷绝缘体安装在 TO-220 封装功率晶体管和散热器之间,尺寸为 14 x 20 x 1 毫米(0.55 x 0.79 x 0.04 英寸),安装孔直径可为 3.8 毫米或 5 毫米,也可提供无孔和定制孔。每袋 100 个包装,TO-220 陶瓷绝缘体散热垫广泛应用于半导体器件、大功率设备、集成电路、ICMOS 管、IGBT 贴片绝缘、三极管、高频电源通信、机…

  • Alumina Ceramic Insulating Sheet & Aluminum Nitride Ceramic Insulating Sheet

    TO 247陶瓷绝缘片

    Innovacera TO-247 陶瓷绝缘片旨在优化分立半导体(包括 MOSFET、IGBT 和晶体管)的热管理。TO-247 陶瓷绝缘片是一款高性能导热界面产品,由氧化铝陶瓷 (Al₂O₃) 和 氮化铝陶瓷 材料制成,提供两种类型:带 3.7 毫米孔的散热垫和不带孔的散热垫。

  • Silicon nitride grinding ball

    氮化硅研磨介质球

    Innovacera氮化硅研磨介质球采用滴定、滚压和CIP(冷等静压)成型3种方式制成,并在1800~2100℃下进行气压烧结。氮化硅的纯度为99%,一般如果直径尺寸大于3mm,我们会选择CIP成型方式。

发送询盘