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CDIP封装和英诺华的陶瓷封装解决方案

集成电路用CDIP封装

Innovacera提供全面的陶瓷封装产品,包括CDIP、CFP和CQFP等九种类型。这些陶瓷封装广泛应用于集成电路、光通信、半导体、激光器封装和光电器件等领域。主要封装尺寸为中小尺寸,引脚数从8到44不等,可满足大多数设计需求。

 

氧化铝陶瓷是成本敏感型应用的理想选择,而氮化铝则适用于高功率和热敏感型设计。陶瓷双列直插式封装 (CDIP) 可提供多种引脚数,以适应不同的电路布局。

 

陶瓷包装

 

陶瓷封装类型

– 陶瓷双列直插式封装 (CDIP)

– 陶瓷扁平封装 (CFP)

– 陶瓷四方扁平无引脚封装 (CQFN)

– 陶瓷引脚网格阵列封装 (CPGA)

– 陶瓷小外形封装 (CSOP)

– 陶瓷无引脚芯片载体封装 (CLCC)

– 陶瓷四方扁平封装 (CQFP)

– 表面贴装器件 (SMD)

– ROSA 陶瓷封装

– TOSA 陶瓷封装

 

材料特性:92%氧化铝与93%氧化铝

系数热膨胀系数40–400°C×10⁻⁶/°C6.77.0

特性 测试条件 单位 92%氧化铝(黑色) 93%氧化铝(白色)
Al₂O₃内容 – % 92 93
密度 25°C g/cm³ 3.7 3.65
热导率 25°C W/(m·K) 20 18
40–800°C ×10⁻⁶/°C 6.9 7.2
体积电阻率 20°C Ω·cm 10¹⁴ 10¹⁴
300°C Ω·cm 10¹⁰ 10¹⁰
500°C Ω·cm 10⁸ 10⁹
介电常数 1 MHz – 10 9
介电损耗 1 MHz ×10⁻⁴ 4 4
弯曲强度 0.5 mm/min MPa 400

 

随着电动汽车、半导体技术和高频通信的蓬勃发展,全球陶瓷封装市场也随之增长。推动这一增长的关键创新包括:高导热基板(氮化铝,AlN 和氧化铝,Al₂O₃)、多层陶瓷封装 (MLC/MLP) 以及先进的气密封装技术。

氮化铝基板的导热系数高达 170 至 200 W/m²,且具有极佳的热膨胀系数 (CTE) 匹配度,这些特性显著提升了功率模块的可靠性和性能。另一方面,多层陶瓷封装能够降低射频信号损耗,并实现更高的集成密度,使其成为 5G/6G 前端模块、各类集成电路 (IC) 和微机电系统 (MEMS) 传感器的理想之选。

气密封装确保了长期运行的稳定性。对于半导体制造、测试设备以及对性能稳定性要求极高的光电应用而言,气密封装至关重要。

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