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产品系列

离子源用氮化铝/氮化硼复合材料BN-AlN陶瓷件

BN-AlN陶瓷是由氮化硼和氮化铝粉末烧结而成。它具有优良的电绝缘体,导热性好,强度高,耐热冲击,耐卤素气体等离子体,具有广泛的应用范围,包括半导体生产设备的组件和需要有效散热的组件。

Boron Nitride&Aluminum Nitride

离子源是一种在真空室内产生原子和分子离子的装置。氮化铝 (AIN)/氮化硼 (BN)复合材料具有优异的电绝缘体、热导率、真空密封能力,并且不会释放太多气体。因此它在离子源中起着散热器和传热板的作用。

材料优势:

  • 机械强度高。
  • 热导率高。
  • 热膨胀小。
  • 介电损耗小。
  • 电绝缘性好。
  • 耐腐蚀性高——不被熔融金属浸润。
  • 可加工性好——BN-AlN 可加工成高精度复杂形状。
  • 对真空具有出色的密封能力,不会释放太多气体。
  • 高频波特性,可让可见红外光轻松穿过。

材料特性:

特性 单位 BAN
主要成分 / BN+ALN
颜色 / 灰绿色
密度 g/cm3 2.8~2.9
三点弯曲强度 MPa 90
抗压强度 MPa 220
热导率 W/m·k 85
热膨胀系数(20-1000℃) 10-6/K 2.8
最高使用温度 大气中 ℃ 900
惰性气体中 ℃ 1750
高真空中 ℃ 1750

应用

  • 散热器
  • 真空元件
  • 需要低介电常数和耗散因数的元件
  • 需要低热膨胀系数的零件和元件
  • 需要电绝缘和散热的电子元件
  • 电气霍尔效应推进器的推进放电通道
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